FF4MR12W2M1H_B70

概要

1200 V CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール

NTC温度センサー、PressFITテクノロジー、AIN (窒化アルミ) セラミックを搭載したEasyDUAL™ 2B 1200 V / 6 mΩ CoolSiC™ MOSFET M1H

特長

  • 最高クラスの高さ12.25 mmのパッケージ
  • 最先端WBG素材
  • きわめて低いモジュールの浮遊インダクタンス
  • CoolSiC™ MOSFET 強化された第１世代
  • 第１世代トレンチ テクノロジー
  • 広いゲート駆動電圧ウィンドウ +15 ～ 18 V、および0 ～ -5 V
  • 最大ゲートソース間電圧を拡大
  • 最大ゲートソース間電圧を+23 V/-10 Vに拡大
  • Tvjop: 過負荷時の最大ジャンクション温度175 °C
  • NTC温度センサー内蔵

利点

  • 卓越したモジュール効率
  • システムコストの低減
  • システム効率向上
  • 冷却コストの低減
  • 高周波駆動が可能
  • 高い電力密度
  • DCB材料の熱伝導率
図
ビデオ

PressFIT テクノロジー

パワーエレクトロニクスのお客様は、より高い温度や新しいアプリケーションに対応するため、高い信頼性を備えた最新の簡単な接合技術を必要としています。

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