FF55MR12W1M1H_B70
概要
PressFIT技術およびAIN (窒化アルミ) を使用したEasyDUAL™ 1B 1200 V / 55 mΩ CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール
特長
- 広い逆バイアス安全動作領域 (RBSOA)
- きわめて低い浮遊インダクタンス
- 広いゲート駆動電圧ウィンドウ
- PressFITピン
- 高い熱伝導率
利点
- 最大ゲートソース間電圧 +23 V ~ -10 Vに拡大
- 過負荷時の最大温度 Tvjop＝175°C
- システムコスト低減による最高のコストパフォーマンス
- 高周波動作および冷却システムの小型化を実現
図
トレーニング
このトレーニングでは、Siチップと比較してインバータの設計方法を変えるSiCの特性について説明します。また、インフィニオンが開発した信頼性試験を適用することで、SiC特有の劣化メカニズムや、これらの特殊な故障モードを考慮したアプリケーションでのSiCデバイスの生存を保証する方法について説明します。これらは、より良い品質、安全性、信頼性の高いデバイス性能を長年にわたって保証するために、SiCデバイスの認定に内部的に必須となっています。
電気自動車市場の拡大に伴い、業界では充電スタンドのの性能に対する要求がより厳しくなっています。
この e-ラーニングでは、CoolSiC™ MOSFET の出現による充電スタンド産業の変革による、、EV 充電器の小型化、高速化、高効率化の実現をご紹介します。
このトレーニングでは、CoolSiC™が次世代のサーボドライブの設計にいかに役立つかをご紹介します。
このトレーニングでは、SiC MOSFETの基準となるゲート抵抗値の計算方法、ピーク電流と電力損失の要件に基づく適切なゲート駆動用ICの選定方法、およびワーストケース条件に基づくゲート抵抗値のラボ環境での微調整方法を学習します。
サポート
