FF6MR12W2M1P_B11

概要

1200V CoolSiC™ MOSFET モジュール

EasyDUAL™ 2B 1200 V, 6 mΩ halfbridge module with CoolSiC™ MOSFET, NTC temperature sensor, PressFIT contact technology and pre-applied Thermal Interface Material.

新世代のCoolSiC™ M1H製品FF4MR12W2M1H_B11は近日発売予定です。

特長

  • 高い電流密度
  • クラスで最も低いスイッチング損失、導通損失
  • 低誘導設計
  • RoHS準拠

利点

  • 高い効率性により冷却を簡素化可能
  • 高効率動作
  • 高い電力密度
  • 顧客の開発サイクルおよび市場投入までの時間を短縮
図
サポート