英飞凌推出全新650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列,提供优异效率
近日,英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合,具有650 V阻断电压。新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点,具备出色的开关速度和更低的开关损耗,特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见应用包括:电动车辆充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源系统 (UPS),以及服务器和电信用开关电源 (SMPS)。
由于续流 SiC 肖特基二极管与 IGBT 在共同封装中,在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变情况下,CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。与标准的硅二极管解决方案相比,新产品可降低多达 60% 的 E on 和30%的E off。或者,也可在输出功率保持不变情况下,提高开关频率至少40%。较高的开关频率有助于缩小无源元件的尺寸,进而降低物料清单成本。该Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP5 IGBT,无需重新设计,便能使每10 kHz开关频率提升0.1%的效率。
此产品系列可作为纯硅解决方案和高性能SiC MOSFET设计之间的另一种选择,与纯硅设计相比,Hybrid IGBT可提升电磁相容性和系统可靠性。由于SiC肖特基二极管能快速换流,而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引脚的Kelvin Emitter封装供客户选择。Kelvin Emitter封装的第四管脚可实现超低电感的栅极驱动控制回路,并降低总开关损耗。
目前,深圳科士达科技股份有限公司已成功导入650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT单管在其UPS与组串式光伏逆变器的新平台设计中,从而提升系统效率,优化系统性能。
深圳科士达科技股份有限公司董事长刘程宇就此表示:“科士达将与英飞凌有长年战略合作历程,持续在不间断电源与太阳能领域提供高可靠性的前沿科技产品,我们将在未来继续合作,在纵深的基础上开展更广泛的合作发展。”
英飞凌科技副总裁、工业功率控制事业部大中华区负责人于代辉表示:“我们的创新来自于技术进步和客户的需求。把Hybrid IGBT技术从模块导入到单管,以满足客户对高能效系统的追求,满足系统设计的灵活性,从而提高客户的竞争能力。”
供货情况
CoolSiC Hybrid分立式IGBT系列延续先前所推出采用IGBT和CoolSiC肖特基二极管的CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK™ 1B和2B模块的成功经验。此分立式产品组合即日起接受订购。系列包含与半额定CoolSiC第6代二极管共同封装的40A、50A 和 75A 650 V TRENCHSTOP 5超高速H5 IGBT,或与全额定CoolSiC第6代二极管共同封装的中等速度S5 IGBT。如欲了解更多信息,敬请浏览 www.infineon.com/coolsic- hybrid-discretes。
关于深圳科士达科技股份有限公司
深圳科士达科技股份有限公司成立于1993年,是电力电子及新能源产品的领军品牌,包括关键基础设施(UPS、电池、精密配电)数据中心、光伏及电能系统解决方案的研造。根据IHS-Markit最新报告,科士达在全球UPS(不间断电源)市场排名第六,在逆变器市场排名前十。 自1993年以来,科士达在不同国家拥有3000多名员工和18个海外分支机构。公司现有研发工程师600余人,致力于基于全球客户需求的创新。通过提供数据中心和光伏逆变器的智能解决方案,以及创新的设计,科士达产品更安全、更高效、更可靠、易于安装,为客户创造价值,提供更高的投资回报率和更低的维护成本。2010年,公司成功上市(股票代码:002518),科士达使命和责任是成为电源及电子领域具有全球产业影响力的全球优秀电源企业。
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INFIPC202102-034
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由于续流 SiC 肖特基二极管与 IGBT 在共同封装中,在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变情况下,CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。CoolSiC_650_V_Hybrid_IGBT_3pin
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与标准的硅二极管解决方案相比,新产品可降低多达 60% 的 Eon 和30%的Eoff。或者,也可在输出功率保持不变情况下,提高开关频率至少40%。CoolSiC_650_V_Hybrid_IGBT_4pin
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