新しい650V CoolSiC™ Hybrid IGBTディスクリートファミリーで効率性の大幅な向上を実現

2021/02/05 | マーケットニュース

2021年2月5日、ミュンヘン（ドイツ）  
 
インフィニオン テクノロジーズ（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）は、ブロッキング電圧が650Vのディスクリートパッケージである650V CoolSiC™ Hybrid IGBT製品ラインアップの発売を開始しました。CoolSiC Hybrid製品ファミリーでは、650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技術と、共に搭載されたショットキーバリアCoolSiCダイオードのユニポーラ構造の主な利点を組み合わせました。高いスイッチング周波数とスイッチング損失の低減を実現したこのデバイスは、特にDC/DCパワーコンバータおよび力率改善（PFC）に適しています。これらは一般的には、バッテリ充電インフラ、 エネルギー貯蔵ソリューション、 太陽光発電インバータ、 無停電電源装置（UPS）および サーバや遠距離 通信用のスイッチング電源（SMPS）などのアプリケーションで使用されています。
 
CoolSiC Hybrid IGBTは、還流SiCショットキーバリアダイオードがIGBTと共に搭載されているため、dv/dtおよびdi/dtの数値をほとんど変化させずに、スイッチング損失を大幅に低減して動作します。標準的なシリコンダイオードによるソリューションと比較して、Eonを最大60％、Eoffを30％削減します。スイッチング周波数は、出力電力要件を変えることなく、最低40％増加させることができます。スイッチング周波数を高くすれば、受動部品のサイズを小さくすることができるため、材料費を抑えられます。Hybrid IGBTは、TRENCHSTOP 5 IGBTとドロップインで置き換えて使用することが可能で、再設計の手間をかけることなく、スイッチング周波数10kHzごとに0.1％の効率向上を実現します。
 
この製品ファミリーは、純シリコンソリューションと高性能SiC MOSFETの設計の間を橋渡しするものです。さらにHybrid IGBTは、純シリコン設計と比較して、電磁両立性とシステムの信頼性を向上させることができます。ショットキーバリアダイオードのユニポーラ特性により、ダイオードは重度な発振や寄生ターンオンといったリスクのない高速スイッチングが可能です。TO-247 3ピンまたはTO-247 4ピンのケルビンエミッタパッケージよりお選びください。ケルビンエミッタパッケージの4番目のピンは、超低インダクタンスのゲートエミッタ制御ループを可能にし、総スイッチング損失を低減します。
 
供給状況
CoolSiC Hybrid ディスクリートIGBTファミリーは、先に発売された、IGBTチップおよびCoolSiCショットキーダイオードを搭載のCoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK™ 1Bおよび2Bモジュールの成功を受けたものです。ディスクリート製品ラインアップは現在注文可能です。40A、50A、および75Aの650V TRENCHSTOP 5の超高速H5 IGBTとハーフレートCoolSiC Gen 6ダイオード、または中速S5 IGBTとフルレートCoolSiC Gen 6ダイオードが共に搭載された構成になっています。詳細については、 https://www.infineon.com/cms/jp/product/power/igbt/coolsic-hybrid-devices/hybrid-discretes/ をご覧ください。

Information Number

INFIPC202102-034j

Press Photos

  • The discrete CoolSiC™ Hybrid IGBTs from Infineon perform with significantly reduced switching losses at almost unchanged dv/dt and di/dt values. They offer up to 60 percent reduction of Eon and 30 percent reduction of Eoff compared to a standard silicon diode solution. Alternatively, the switching frequency can be increased at least by 40 percent with unchanged output power requirements.
    The discrete CoolSiC™ Hybrid IGBTs from Infineon perform with significantly reduced switching losses at almost unchanged dv/dt and di/dt values. They offer up to 60 percent reduction of Eon and 30 percent reduction of Eoff compared to a standard silicon diode solution. Alternatively, the switching frequency can be increased at least by 40 percent with unchanged output power requirements.
    CoolSiC_650_V_Hybrid_IGBT_3pin

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  • The discrete CoolSiC™ Hybrid IGBTs from Infineon perform with significantly reduced switching losses at almost unchanged dv/dt and di/dt values. They offer up to 60 percent reduction of Eon and 30 percent reduction of Eoff compared to a standard silicon diode solution. Alternatively, the switching frequency can be increased at least by 40 percent with unchanged output power requirements.
    The discrete CoolSiC™ Hybrid IGBTs from Infineon perform with significantly reduced switching losses at almost unchanged dv/dt and di/dt values. They offer up to 60 percent reduction of Eon and 30 percent reduction of Eoff compared to a standard silicon diode solution. Alternatively, the switching frequency can be increased at least by 40 percent with unchanged output power requirements.
    CoolSiC_650_V_Hybrid_IGBT_4pin

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