英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET

2022-2-15 | 市场新闻

【2022年2月15日，德国慕尼黑讯】高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。该功率MOSFET采用PQFN 封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm 2，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此种封装可实现更高的效率、更高的功率密度以及业内领先的热性能指标，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面树立了新的行业标杆。该器件的应用领域十分广泛，涵盖 电机驱动，适用于 服务器、 电信和OR-ing的 SMPS，以及 电池管理系统 等。

 

与传统的漏极底置（Drain-Down）封装相比，最新的源极底置封装技术能够让器件的外形尺寸接近于裸芯片。此外，这种创新封装技术还能降低损耗，进一步增强器件的整体性能。相较于最先进的漏极底置封装，采用源极底置封装可使R DS(on)降低30％。这一技术创新能够为系统设计带来的主要优势包括：缩小外形尺寸，从SuperSO8 5 x 6 mm 2封装转变到PQFN 3.3 x 3.3 mm 2封装，可减少约65%的占位空间，让可用空间得到更有效的利用，从而提高终端系统的功率密度和系统效率。

 

此外，在源极底置封装中，热量通过导热垫传递到PCB上，而非通过内部引线键合或铜夹带设计，以此来改善散热效果。这也使得结-壳热阻（R thJC）从1.8K/W降到了1.4K/W，降幅超过20%，从而能够实现优异的热性能。英飞凌目前推出的两个型号占板面积不同，它们分别是SD标准门极布局和SD门极居中布局。在标准门极布局中，电气连接的位置保持不变，方便将标准的漏极底置封装简单直接地替换成新的源极底置封装；而在中央门极布局封装中，门极引脚被移到中心位置以便于多个MOSFET并联。这两种型号都能够优化PCB布局，使得寄生效应降低，PCB损耗改进，且易于使用。

 

供货情况

OptiMOS™ 源极底置功率MOSFET现已开始供货，其采用PQFN 3.3 x 3.3 mm 2封装，支持从25 V到100 V的宽电压范围，目前推出的两个型号占板面积不同。更多信息，请访问 www.infineon.com/source-down。

 

了解英飞凌为提升能源效率做出的贡献，请访问： www.infineon.com/green-energy

 

Information Number

INFPSS202201-041

Press Photos

  • 英飞凌新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down）功率MOSFET采用PQFN 封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm2，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此外，在源极底置封装中，热量通过导热垫传递到PCB上，而非通过内部引线键合或铜夹带设计，这也使得结-壳热阻（RthJC）从1.8K/W降到了1.4K/W，降幅超过20%。
    英飞凌新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down）功率MOSFET采用PQFN 封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm2，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此外，在源极底置封装中，热量通过导热垫传递到PCB上，而非通过内部引线键合或铜夹带设计，这也使得结-壳热阻（RthJC）从1.8K/W降到了1.4K/W，降幅超过20%。
    PQFN_SD_CG

    JPG | 457 kb | 2126 x 1110 px

  • 英飞凌新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down）功率MOSFET采用PQFN 封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm2，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此外，在源极底置封装中，热量通过导热垫传递到PCB上，而非通过内部引线键合或铜夹带设计，这也使得结-壳热阻（RthJC）从1.8K/W降到了1.4K/W，降幅超过20%。
    英飞凌新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down）功率MOSFET采用PQFN 封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm2，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此外，在源极底置封装中，热量通过导热垫传递到PCB上，而非通过内部引线键合或铜夹带设计，这也使得结-壳热阻（RthJC）从1.8K/W降到了1.4K/W，降幅超过20%。
    PQFN_SD_combi

    JPG | 470 kb | 2126 x 1151 px

  • 英飞凌新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down）功率MOSFET采用PQFN 封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm2，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此外，在源极底置封装中，热量通过导热垫传递到PCB上，而非通过内部引线键合或铜夹带设计，这也使得结-壳热阻（RthJC）从1.8K/W降到了1.4K/W，降幅超过20%。
    英飞凌新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down）功率MOSFET采用PQFN 封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm2，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此外，在源极底置封装中，热量通过导热垫传递到PCB上，而非通过内部引线键合或铜夹带设计，这也使得结-壳热阻（RthJC）从1.8K/W降到了1.4K/W，降幅超过20%。
    PQFN_SDplusCG

    JPG | 815 kb | 1993 x 2126 px