インフィニオン、3.3 x 3.3 mm 2 のPQFN の新しいOptiMOS™ パワーMOSFET パッケージにより、25 V から100 V のバリエーションで革新的なソースダウンテクノロジーを実現

2022/01/20 | マーケットニュース

2022 年1 月7 日、ミュンヘン(ドイツ)


高電力密度、最適化された性能、そして使い易さは、最新の電力システムを設計する際に重要な要件となります。エンドアプリケーションにおける設計上の課題に対する実用的なソリューションを提供するため、インフィニオン テクノロジーズ AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、25～100 V の幅広い電圧に対応した、PQFN 3.3 x 3.3 mm 2 パッケージのOptiMOS™ソースダウン (SD) パワーMOSFET を発表しました。このパッケージは、高効率、高電力密度、優れた熱管理、低BOM を実現し、パワーMOSFET の性能における新たな標準を設定します。PQFNは、 モータードライブ、 サーバや テレコム用の SMPS、ORリング、 バッテリーマネジメントシステムなどのアプリケーションに対応しています。

標準的なドレインダウンのコンセプトと比較して、最新のソースダウンパッケージ技術は、同じパッケージ外形で、より大きなシリコンダイの搭載を可能にします。さらに、デバイスの全体的な性能を制限しているパッケージによる損失も削減することができます。これにより、従来のドレインダウンパッケージと比較して、
R DS (on) を最大30%削減することができます。システムレベルでは、SuperSO8 5 x 6 mm 2 のフットプリントからPQFN 3.3 x 3.3 mm 2 パッケージに移行し、約65%のスペース削減が可能で、フォームファクターの縮小がメリットとして挙げられます。これにより、利用可能なスペースをより有効に活用することができ、エンドシステムにおける電力密度やシステム効率を向上させることができます。

さらに、ソースダウンコンセプトでは、熱をボンドワイヤーや銅クリップ経由ではなく、サーマルパッドを通して直接プリント基板に放熱します。熱抵抗 R thJC が1.8K/W から1.4K/W へと20%以上改善され、熱管理の簡素化が可能になります。インフィニオンは、SD 標準ゲートとSD センターゲートの2 種類のフットプリントとレイアウトオプションを提供しています。標準ゲートレイアウトは、ドレインダウンパッケージのドロップイン置換を簡素化し、センターゲートレイアウトは最適かつ容易な並列化を可能にします。これらの2 つのオプションは、PCB における最適なデバイス配置、PCB 寄生要素の最適化、および使い易さをもたらすことができます。

供給について

25～100 V の幅広い電圧に対応した、PQFN 3.3 x 3.3 mm 2 パッケージのOptiMOS™ソースダウン型パワーMOSFET は、2 種類のフットプリントバージョンで提供を開始いたしました。
製品の詳細については、 こちらをご覧ください。

エネルギー効率へのインフィニオンの貢献については www.infineon.com/green-energy/jp をご覧ください。

Information Number

INFPSS202201-041j

Press Photos

  • The new generation of OptiMOS™ Source-Down (SD) power MOSFETs from Infineon come in a PQFN 3.3 x 3.3 mm2 package and a wide voltage class ranging from 25 V up to 100 V. The package enables a reduction in RDS(on) by up to 30 percent compared to the state of the art Drain-Down package. Additionally, the heat is dissipated directly into the PCB through a thermal pad instead of over the bond wire or the copper clip. This improves the thermal resistance RthJC by more than 20 percent, from 1.8 K/W down to 1.4 K/W.
    The new generation of OptiMOS™ Source-Down (SD) power MOSFETs from Infineon come in a PQFN 3.3 x 3.3 mm2 package and a wide voltage class ranging from 25 V up to 100 V. The package enables a reduction in RDS(on) by up to 30 percent compared to the state of the art Drain-Down package. Additionally, the heat is dissipated directly into the PCB through a thermal pad instead of over the bond wire or the copper clip. This improves the thermal resistance RthJC by more than 20 percent, from 1.8 K/W down to 1.4 K/W.
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  • The new generation of OptiMOS™ Source-Down (SD) power MOSFETs from Infineon come in a PQFN 3.3 x 3.3 mm2 package and a wide voltage class ranging from 25 V up to 100 V. The package enables a reduction in RDS(on) by up to 30 percent compared to the state of the art Drain-Down package. Additionally, the heat is dissipated directly into the PCB through a thermal pad instead of over the bond wire or the copper clip. This improves the thermal resistance RthJC by more than 20 percent, from 1.8 K/W down to 1.4 K/W.
    The new generation of OptiMOS™ Source-Down (SD) power MOSFETs from Infineon come in a PQFN 3.3 x 3.3 mm2 package and a wide voltage class ranging from 25 V up to 100 V. The package enables a reduction in RDS(on) by up to 30 percent compared to the state of the art Drain-Down package. Additionally, the heat is dissipated directly into the PCB through a thermal pad instead of over the bond wire or the copper clip. This improves the thermal resistance RthJC by more than 20 percent, from 1.8 K/W down to 1.4 K/W.
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  • The new generation of OptiMOS™ Source-Down (SD) power MOSFETs from Infineon come in a PQFN 3.3 x 3.3 mm2 package and a wide voltage class ranging from 25 V up to 100 V. The package enables a reduction in RDS(on) by up to 30 percent compared to the state of the art Drain-Down package. Additionally, the heat is dissipated directly into the PCB through a thermal pad instead of over the bond wire or the copper clip. This improves the thermal resistance RthJC by more than 20 percent, from 1.8 K/W down to 1.4 K/W.
    The new generation of OptiMOS™ Source-Down (SD) power MOSFETs from Infineon come in a PQFN 3.3 x 3.3 mm2 package and a wide voltage class ranging from 25 V up to 100 V. The package enables a reduction in RDS(on) by up to 30 percent compared to the state of the art Drain-Down package. Additionally, the heat is dissipated directly into the PCB through a thermal pad instead of over the bond wire or the copper clip. This improves the thermal resistance RthJC by more than 20 percent, from 1.8 K/W down to 1.4 K/W.
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