英飞凌收购碳化硅专业厂商Siltectra

2018年11月12日，德国慕尼黑和德累斯顿讯—英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）收购位于德累斯顿的初创公司Siltectra有限公司。Siltectra研发了冷切割（Cold Split）这一创新技术，可高效处理晶体材料，并最大限度减少材料损耗。英飞凌将利用冷切割技术切割碳化硅（SiC）晶圆，使单片晶圆可产出的芯片数量翻倍。英飞凌已与其主要股东之一——风投机构MIG基金就1.24亿欧元的收购价格达成一致。

英飞凌首席执行官Reinhard Ploss博士表示：“此次收购将有助于我们扩展使用新材料SiC的产品组合。英飞凌从系统层面上对薄晶圆技术的理解以及独特的相关专业知识，与冷切割技术和Siltectra的创新能力相辅相成。得益于冷切割技术，SiC晶圆可产出芯片数量的增加让SiC产品的产能爬坡升级变得更加容易，能更好地满足可再生能源的进一步增加的需求，以及SiC在电动汽车传动系统中的使用需求。”

Siltectra首席技术官Jan Richter博士表示：“我们很高兴成为功率半导体全球市场领导者团队的一员。如今原则上英飞凌已经可以使用冷切割技术，双方也将共同努力实现其量产。”

MIG基金管理者MIG股份公司的普通合伙人Michael Motschmann表示：“自八年前投资Siltectra以来，我们一直十分看好冷切割技术和这一出众的团队。我们非常高兴看到英飞凌作为收购方，在技术上和文化上与Siltectra非常契合。能够通过投资助力德国经济竞争力的增强，这也令我们感到自豪。”

Siltectra成立于2010年，一直以来IP不断扩展，迄今为止已拥有50多个专利。这家初创公司研发出一项切割晶体材料的新技术，相较于普通的切割技术，能最大限度减少材料损耗。该技术也可以应用于半导体材料SiC，而SiC产品的需求，预计未来几年将迅速增长。如今，SiC产品已用于非常高效的紧凑的太阳能逆变器。未来，SiC将在电动车领域发挥越来越重要的作用。冷切割技术将在位于德累斯顿的Siltectra现有工厂和位于奥地利菲拉赫的英飞凌工厂实现工业化。英飞凌预计将在未来五年内实现量产。

英飞凌提供最丰富的硅基功率半导体产品组合以及SiC和GaN的创新衬底。英飞凌是全球唯一一家实现300毫米硅薄晶圆量产的公司。因此，英飞凌同样能很好地将薄晶圆技术应用于SiC产品。从长远来看，冷切割技术将有助于确保SiC产品的供应。日后，冷切割技术还有望得到更广泛的应用，如晶锭切割或用于SiC之外的材料。

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MIG股份公司（MIG AG）是德国领先的风险投资机构之一。MIG基金为高科技和生命科学领域的初创企业提供从种子到扩张阶段的投资。目前，MIG股份公司负责管理24家公司的投资组合。

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