IRS2308S

综述

600 V half-bridge gate driver IC with shoot through protection

600 V 半桥驱动器 IC，具有典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP 封装可选。

特征描述

  • 专为自举操作设计的浮动通道
  • 完全运行时的电压高达 600V
  • 容许负瞬态电压，不受 dV/dt 影响
  • 栅极驱动电源范围：10 V 至 20V
  • 双通道欠压锁定
  • 防止交叉传导逻辑
  • 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑兼容
  • 双通道的匹配传播延迟
  • 输出与输入同相
  • 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
  • 内部死区时间为 500ns
  • 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移
图表
视频
Share
Share
Share
培训
支持