Neue 30-V-MOSFETs von Infineon für Automobil-Anwendungen liefern 180 A bei niedrigstem Durchlasswiderstand ihrer Klasse von unter einem Milliohm

Neubiberg, 26. Juli 2010 – Infineon Technologies bietet 30-V-MOSFETs mit dem weltweit kleinsten Durchlasswiderstand R _DS(on) für Hochstrom-Anwendungen im Fahrzeug. Die neuen OptiMOS™-T2 30-V-MOSFETs sind N-Kanal-Leistungsschalter mit einem Drain-Strom von 180 A und einem R _DS(on) von nur 0,9 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der IPB180N03S4L-H0 im D ²PAK-7-Gehäuse erfüllt die Anforderungen nach kostengünstigen Leistungs-MOSFETs in Standard-Gehäusen, die sowohl hohe Nennströme als auch geringste RDS(on)-Werte bieten.

Die OptiMOS-T2-Bausteine gehören zu Infineons zweiter Trench-Technologie-Generation von Leistungs-MOSFETs. Sie wurden speziell für Hochstrom-Anwendungen von Fahrzeugen entwickelt und kommen im Antriebsstrang, der elektrischen Servolenkung (Electrical Power Steering, EPS) und in verschiedenen Start/Stopp-Funktionen zum Einsatz.

Aus Kosten- und Effizienzgründen gibt es in der Automobilbranche einen klaren Trend hin zu Trench-Konzepten. Leistungs-MOSFETs mit Trench-Technologien wie OptiMOS-T2 bieten signifikante Verbesserungen sowohl bei Durchlasswiderstand als auch bei Gate-Ladung. Das zeigt sich in einer FOM (Figure of Merit, Produkt aus Gate-Ladung und R _DS(on)-Wert), die beim OptiMOS-T2 eine der branchenweit niedrigsten ist. Darüber hinaus ist Infineons innovative „Powerbond“ Hochstrom-Technologie besser als bisherige Drahtbond-Lösungen eines MOSFETs, denn sie senkt den R _DS(on)-Abfall am Bonddraht und erhöht die Stromtragfähigkeit. Dadurch bleiben die Bonddrähte kühler, was die Zuverlässigkeit verbessert. Infineons neueste Powerbond-Technologie ermöglicht eine vierfache 500-µm-Doppel-Drahtkontaktierung in einem einzigen MOSFET, was im Standardgehäuse einen Strom von 180 A zulässt.

Die OptiMOS-T2-Technologien und die robusten Gehäuse widerstehen Temperaturen von 260 °C beim Reflow-Löten mit MSL1 (Moisture Level 1) und bieten bleifreie Anschlüsse gemäß RoHS. Der Leistungs-MOSFET IPB180N03S4L-H0 ist nach den Spezifikationen des Automotive Electronics Council (AEC-Q101) qualifiziert. Infineons fortschrittliche Trench-Technologie ermöglicht geringe Gate-Ladungen, geringe Kapazitäten und niedrigere Schaltverluste sowie ausgezeichnete FOM-Werte. Damit lässt sich die Effizienz von elektrischen Motoren erhöhen. Außerdem ermöglicht die optimierte Gate-Ladung kleinere Ausgangstreiber-Stufen.

Der IPB180N03S4L-H0 zielt auf Hochstrom-Applikationen mit mehr als 500 A, indem mehrere MOSFETs parallel betrieben werden. Da der IPB180N03S4L-H0 einen Nennstrom von 180 A liefert, lassen sich in Hochstrom-Anwendungen ein oder mehrere MOSFETs einsparen, um Strom-Aufteilung, thermisches Verhalten und Kosten zu optimieren.

„Auf Basis der OptiMOS-T2 Trench-Technologie bietet Infineon ein breites Portfolio an Automotive-MOSFETs von höchster Leistungsfähigkeit und Qualität in robusten Gehäusen“, sagte Dr. Torsten Blanke, Director, Product Marketing, Standard Automotive Power bei Infineon Technologies. „ Mit dem neuen OptiMOS-T2 30 V mit einem Nennstrom von 180 A setzt Infineon einmal mehr Maßstäbe bei höchsten Strömen in Standardgehäusen und geringstem R _DS(on) bei Trench-Technologien.“

Verfügbarkeit

Der 30 V IPB180N03S4L-H0 mit 180 A Drain-Strom und einem R _DS(on) von nur 0,9 mΩ ist in Produktion. Infineon bietet für sehr kostenkritische Anwendungen auch eine Variante mit 30 V / 180 A (IPB180N03S4L-01) und einem R _DS(on) von 1,05 mΩ bei 10 V Gate-Source-Spannung an. Beide Hochleistungs-MOSFETs sind im Standardgehäuse D ²PAK-7 verfügbar.

Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/automotivemosfet/

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 25.650 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2009 (Ende September) einen Umsatz von 3,03 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY" notiert.