650V CoolMOS™ CFD2-Technologie von Infineon mit integrierter, schneller Body-Diode setzt neue Maßstäbe in der Energieeffizienz für Server, Solar- Wechselrichter, Beleuchtungen und Telekommunikations-Anwendungen

Neubiberg, 17. Mai 2011 - Die neueste Generation der Hochvolt CoolMOS™ MOSFETs von Infineon setzt erneut Maßstäbe in der Energieeffizienz. Infineon präsentiert auf der PCIM Europe 2011 (17. bis 19. Mai) in Nürnberg den 650V CoolMOS™ CFD2 – den weltweit ersten Hochvolt-Transistor mit 650 Volt Durchbruchspannung und einer integrierten Fast-Body-Diode. Die neuen CFD2-Bausteine sind die Nachfolgeprodukte der 600V CFD-Generation und bieten eine deutlich höhere Energieeffizienz, weicheres Schaltverhalten und eine reduzierte elektromagnetische Interferenz (EMI).

Die neue 650V CoolMOS™ CFD2-Technologie vereint alle Vorteile schnell schaltender Superjunction-MOSFETs: verbesserte Effizienz bei geringen Lasten, reduzierte Gate-Ladung, einfache Implementierung und hohe Zuverlässigkeit. Außerdem bieten die neuen MOSFETs einen geringen flächenspezifischen Durchlasswiderstand und reduzierte kapazitive Schaltverluste. Darüber hinaus lässt sich das Schaltverhalten einfach steuern, während die Body-Diode die marktweit höchst Robustheit aufweist. Die neue CoolMOS™ CFD2-Technologie bietet im Vergleich zur 600V CFD-Technologie zudem geringere Systemkosten und ist die beste Wahl für resonant schaltende Topologien.

Das größte Marktpotenzial für den 650V CoolMOS™ CFD2-Transistor sieht Infineon in Anwendungen wie Solar-Wechselrichter, Server, Beleuchtungen und im Bereich Telekommunikation.

„Mit der innovativen CoolMOS™-Technologie hat sich Infineon als Marktführer im Bereich Energieeffizienz bei Hochvolt-Anwendungen etabliert. Die neuen 650V CFD2-MOSFETs der CoolMOS™-Familie ergänzen in idealer Weise die bisherige Produktfamilie und setzen erneut Standards – beispielsweise mit einem Wirkungsgrad von bis zu 98,1 Prozent für DC/AC-Photovoltaik-Wechselrichter“, sagt Jan-Willem Reynaerts, Product Line Manager HV MOS bei Infineon Technologies.

Verfügbarkeit und Preise

Muster des IPW65R080CFD (650 V, R _dson = 80 mΩ, TO247-Gehäuse) sind bereits verfügbar. Der Preis liegt bei 4,50 Euro (Bestellmenge 10.000 Stück).

Infineon präsentiert die neuen 650V CoolMOS™ CFD2-Transistoren auf dem Stand auf der PCIM Europe 2011 (17.-19. Mai 2011) in Nürnberg in Halle 12 auf Stand 404.

Weitere Informationen zu der neuen CFD2-Produktfamilie unter www.infineon.com/cfd2

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.650 ¹ Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2010 (Ende September) einen Umsatz von 3,295 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „ IFNNY“ notiert.

¹ Die Mitarbeiterzahl beinhaltet noch rund 3.500 Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter des Mobilfunkgeschäfts (Wireless Solutions), das an die Intel Corporation verkauft wurde.