Infineon erweitert die EiceDRIVER™-Familie mit Wide-Body-Varianten für größere Kriechstrecken

09.05.2016 | Market News

München, 9. Mai 2016 – Im Rahmen der Fachmesse PCIM ergänzt die Infineon Technologies AG die EiceDRIVER™ Compact-Familie. Das Angebot der galvanisch isolierten Gate-Treiber-ICs wird damit um mehrere Wide-Body-Gehäuse erweitert. Die neuen 1EDI Compact 300 mil-Bausteine stehen in einem DSO-8 300 mil-Gehäuse zur Verfügung. Dieses weist nicht nur größere Kriechstrecken auf, sondern auch ein verbessertes thermisches Verhalten.

Mit einer Kriechstrecke von 8 mm bieten die neuen ICs eine Isolationsspannung (Eingang gegenüber Ausgang) von 1200 V. Die neuen Treiber sind für Hochvolt-Leistungs-MOSFETs und IGBTs ausgelegt. Zu den typischen Zielanwendungen gehören allgemeine und Photovoltaik-Wechselrichter, industrielle Antriebe, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Schweißgeräte sowie landwirtschaftliche und Nutzfahrzeuge. Eine optimiertes Pin-out vereinfacht das Leiterplatten-Design für niedrig impedante Stromversorgungen. Wie andere Bausteine der EiceDRIVER-Familie von Infineon auch, basiert die 1EDI Compact 300 mil-Variante auf der Coreless-Transformer-Technologie. Damit werden Ausgangsströme von bis zu 6 A erreicht.

Produktmerkmale und Verfügbarkeit

Die Treiberströme der ICs an den separaten Sink- und Source-Ausgangs-Pins liegen bei 0,5 A (1EDI05I12AH), 2 A (1EDI20I12AH), 4 A (1EDI40I12AH) und 6 A (1EDI60I12AH). Die typische Verzögerungszeit beträgt 300 ns. Für High-Speed-Anwendungen, die zum Beispiel auf SiC-MOSFET basieren, bieten die Varianten 1EDI20H12AH und 1EDI60H12AH eine reduzierte Verzögerung von nur 120 ns. Drei weitere Ausführungen (1EDI10I12MH, 1EDI20I12MH und 1EDI30I12MH) integrieren eine Miller-Klemmung und liefern Ausgangsströme von 1 A, 2 A und 3 A.

Die Volumenfertigung der 1EDI Compact 300 mil Gate-Treiber-ICs beginnt im Juni 2016. Entwicklungsmuster und Evaluation-Boards sind ab sofort verfügbar. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/EiceDRIVER und www.infineon.com/300mil.

Infineon auf der PCIM 2016

Auf der Fachmesse PCIM 2016 (Nürnberg, 10.-12. Mai 2016) zeigt Infineon in Halle 9, Stand #412, zukunftsweisende Technologien für effiziente Systeme in Industrie-, Verbraucher- und Automobilanwendungen. Weitere Informationen zu den Messe-Highlights von Infineon sind erhältlich unter: www.infineon.com/PCIM.

Informationsnummer

INFIPC201605-055

Pressefotos

  • Die neuen 1EDI Compact 300 mil-Bausteine stehen in einem DSO-8 300 mil-Gehäuse zur Verfügung. Dieses weist nicht nur größere Kriechstrecken auf, sondern auch ein verbessertes thermisches Verhalten. Die neuen Treiber sind für Hochvolt-Leistungs-MOSFETs und IGBTs ausgelegt.
    Die neuen 1EDI Compact 300 mil-Bausteine stehen in einem DSO-8 300 mil-Gehäuse zur Verfügung. Dieses weist nicht nur größere Kriechstrecken auf, sondern auch ein verbessertes thermisches Verhalten. Die neuen Treiber sind für Hochvolt-Leistungs-MOSFETs und IGBTs ausgelegt.
    1EDI40I12AH

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