Infineon produziert den fünfmilliardsten CMOS-HF-Schalter

München – 13. Juli 2018 – Höchste Qualitätsstandards und industrieweit führende Halbleiter durch Innovation und Fertigung: So begann die Infineon Technologies AG 2008 die Volumenfertigung der ersten CMOS-Hochfrequenz-(HF)-Schalter. Wegen der beginnenden 5G-Mobilfunk-Ära erlebt das Portfolio von Infineon heute weltweit hohes Interesse bei innovativen Anbietern im Wireless-Markt. Inzwischen liefert das Unternehmen weit mehr als eine Milliarde HF-CMOS-Schalter pro Jahr an Kunden aus, seit dem Start insgesamt mehr als fünf Milliarden Stück.

„Angesichts der weitreichenden Expertise bei der Halbleiterfertigung und hohen Qualität ist Infineon ein bevorzugter Lieferant für OEMs und Chipsatz-Anbieter“, sagte Philipp von Schierstädt, Vice President und General Manager für Radio Frequency Systems bei Infineon. „Die hohe Marktakzeptanz unterstreicht unser tiefgreifendes Systemverständnis für HF-Front-Ends, unser technisches Knowhow sowie die mit hoher Qualität und Lieferzuverlässigkeit verbundene Fertigungsstrategie von Infineon.“

Die in hohen Stückzahlen ausgelieferten CMOS-ICs bieten zahlreiche Integrationsvorteile. Seit Einführung von Halbleiterlösungen in den 1960er Jahren lassen sich die Design-Technologien für HF-Schalter in zwei Kategorien gliedern: elektromechanische Schalter (MEMS) und Halbleiterschalter. Aufgrund der relativ langsamen Schaltgeschwindigkeiten, der beschränkten Wiederholgenauigkeit und Zuverlässigkeit scheiden MEMS für zukünftige 5G-Anwendungen aus.

Mittlerweile ermöglichen Fortschritte bei der Forschung weitere Optionen für die Halbleiterlösungen. Im Vergleich zu Gallium-Arsenid (GaAs) und Gallium-Nitrit (GaN) bietet die Transistor-zu-Transistor-Logik auf CMOS-Basis die bestmögliche Integration. Dies erlaubt platzsparende Designs auf den Leiterplatten. Denn im Gegensatz zu den anderen Alternativen benötigen die CMOS-Lösungen keinen zusätzlichen Oxid-Layer und kein spezielles Material für die Waferverarbeitung. Das reduziert die Kosten.

Aufgrund der kommenden 5G-Telekommunikation stehen OEMs und OMDs neben der allgemeinen Industriedynamik weiteren Herausforderungen gegenüber. Infineon entwickelt hierfür neue Produkte, die den hohen Anforderungen der HF-Entwickler entsprechen.

Verfügbarkeit

Die Spezifikation der verfügbaren Muster einer neuen Generation von CMOS-HF-Schaltern unterstreicht diese führende Position. Die Volumenfertigung der neuen Bauelemente BGSX22G5A10 und BGSX33MA16 für das Antennen-Swapping beginnt im Spätsommer 2018 und stellt die weitere Verfügbarkeit leistungsfähiger HF-Schalter sicher. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/rfswitches.