インフィニオンがバルクCMOS高周波スイッチの生産において累計50億個のマイルストーンを達成

2018年7月13日、ミュンヘン（ドイツ） 

独インフィニオンテクノロジーズは2008年にバルクCMOS高周波（RF）スイッチの生産を初めて開始し、イノベーションと製造を通じて最高品質かつ業界をリードする半導体コンポーネントを提供し続けています。5G時代の幕開けと共に、優れた設計に基づくインフィニオンのポートフォリオと製品は、世界中のワイヤレス市場からかつてない歓迎を受けることとなりました。インフィニオンによる年間の生産高は現在では10億個を大きく超え、これまでに累計50億個を超えるバルクCMOS 高周波スイッチをお客様に出荷しています。 

インフィニオンのRadio Frequency & Sensorsバイスプレジデント兼ゼネラルマネージャーであるフィリップ フォン シールシュテット（Philipp von Schierstaedt）は次のように述べています。「半導体製造に関して定評あるノウハウと伝統を持つインフィニオンは、すべてのOEM、設計メーカー（OMD）、およびチップセット販売企業の良きパートナーとなっています。この市場からの圧倒的な受け入れ状況は、高周波フロントエンドシステムに対するインフィニオンの理解、技術的強み、卓越した品質、および確実な供給がインフィニオンの製品戦略に組み込まれていることを示しています。」 

バルクCMOSは製品の組み込みに関していくつもの利点を備えています。1960年代に「ソリッドステート」が登場して以来、高周波スイッチの設計は電気機械式（MEMS）スイッチとソリッドステート式スイッチの2種類に分かれました。MEMSはそのスイッチ速度の遅さ、繰り返し耐久性の弱さ、および信頼性の低さにより、5Gアプリケーションのための理想的選択肢とはなり得ません。 

また学術的な取り組みにより、ソリッドステートにはいくつかの技術的選択肢が生まれました。ガリウムヒ素や窒化ガリウムと比べ、TTL（transistor-to- transistor）論理回路に基づくバルクCMOSは最高の組み込み易さを備えています。これによりプリント回路基板上でのスペースに制約のある設計が可能となります。他の選択肢とは異なりバルクCMOSは追加の酸化層もウエハ処理時の他の素材も必要としないため、経済的な優位性も得られます。 

5G通信の登場に伴い、業界全体としてのペースの加速に加え、さまざまな技術的課題の解決がOEMとOMDに求められています。インフィニオンは高周波分野の設計者の野心を育む、さらに多くの製品を開発しようとしています。 

供給状況

この業界をリードする性能を立証する、次世代バルクCMOS高周波スイッチ、新しいアンテナ切り換えデバイスのBGSX22G5A10、および同じくBGSX33MA16のサンプル供給がすでに開始されています。高周波スイッチの継続的供給を保証する量産は2018年夏の開始を予定しています。詳細については www.infineon.com/rfswitchesをご覧ください。