CoolSiC™ MOSFET 1700 V SMD ermöglicht beste Effizienz und reduzierte Komplexität für Hilfsstromversorgungen im Hochspannungsbereich

München, 29. Mai 2020 – Die Infineon Technologies AG ergänzt das Angebot an CoolSiC™ MOSFETs mit einer weiteren Sperrspannungsklasse. Nach dem Launch der diskreten 650-V-SiC-MOSFETs zu Beginn dieses Jahres, folgt jetzt die 1700-V-Kategorie, ebenfalls auf Basis der proprietären Trench-Halbleitertechnologie. Diese nutzt die exzellenten physikalischen Eigenschaften von Siliziumkarbid (SiC). Mit den oberflächenmontierbaren 1700-V-Bausteinen (SMD) ermöglichen sie eine hohe Zuverlässigkeit sowie niedrige Schalt- und Leitungsverluste. Die CoolSiC MOSFETs 1700 V zielen auf Hilfsstromversorgungen in dreiphasigen Stromwandlern ab, etwa für Motorantriebe, erneuerbare Energien, Ladeinfrastruktur sowie HVDC-Systemen.

Solche Anwendungen weisen in der Regel eine geringe Leistung von weniger als 100 W auf. Entwickler bevorzugen hierfür sehr oft eine Single-Ended-Flyback-Topologie. Mit den neuen CoolSiC MOSFETs 1700 V im SMD-Gehäuse ist diese Topologie für Hilfsspannungsversorgungen, die über einen Zwischenkreis gekoppelt sind, jetzt bis zu 1000 V _DC Eingangsspannung realisierbar. Hilfsbetriebeumrichter mit hohem Wirkungsgrad und hoher Zuverlässigkeit, die einen Single-Ended-Flyback-Wandler verwenden, können jetzt in dreiphasigen Leistungswandlern implementiert werden. Dies führt zu geringerem Platzbedarf und reduzierten Kosten.

„Die Trench-Technologie eines CoolSiC MOSFETs, die Leistung und Zuverlässigkeit im Betrieb optimal ausbalanciert, ist ab sofort auch für 1700 V verfügbar“, sagte Dr. Peter Friedrichs, Senior Director SiC bei der Division Industrial Power Control von Infineon. „Wir bieten die SiC-Eigenschaften – geringe Verluste bei kleiner Grundfläche – in einem Hochspannungs-SMD-Gehäuse an; dadurch reduzieren wir für zahlreiche unserer Kunden die Komplexität beim Design von Hilfsstromversorgungen.“

Eine Sperrspannung von 1700 V ermöglicht ausreichende Designfenster bei Spannungsbelastung und der Zuverlässigkeit von Stromversorgungen. Die CoolSiC-Trench-Technologie weist niedrigste Kapazitäten und Gate-Ladungen bei Schaltern in dieser Spannungsklasse auf. Das reduziert die Verlustleistung um mehr als 50 Prozent und erhöht den Wirkungsgrad um 2,5 Prozent, verglichen mit modernen 1500-V-Silizium-MOSFETs. Gegenüber anderen 1700-V-SiC-MOSFETs liefert das CoolSiC-Bauteil einen um 0,6 Prozent höheren Wirkungsgrad. Diese geringen Verluste ermöglichen eine kompakte SMD-Baugruppe mit natürlicher Konvektionskühlung, die ohne Kühlkörper auskommt.

Die neuen CoolSiC MOSFETs der 1700 V Spannungsklasse sind für Flyback-Topologien mit +12 V / 0 V Gate-Source-Spannung optimiert und daher mit den Ausgangsstufen gängiger PWM-Controller kompatibel. Aus diesem Grund benötigen sie keinen separaten Gate-Treiber-IC und können direkt über den Flyback-Controller gesteuert werden. Der Durchlasswiderstand beträgt 450 mΩ, 650 mΩ oder 1000 mΩ. Das neue 7-polige D²PAK-SMD-Gehäuse bietet erweiterte Kriech- und Luftstrecken von über 7 mm. Damit erfüllt es die 1700-V-Applikationsanforderungen und PCB-Spezifikationen und minimiert den Isolationsaufwand für das Design.

Verfügbarkeit

Die CoolSiC MOSFETs 1700 V im D²PAK-7L-Gehäuse können ab sofort bestellt werden, auch in großen Mengen. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/coolsic-mosfet.