Maßgeschneidert für den Einsatz in resonanten Topologien: der neue 650 V CoolMOS™ CFD7

01.10.2020 | Market News

München, 1. Oktober 2020 – Zu den jüngsten Technologietrends bei Schaltnetzteilen in industriellen Anwendungen gehören eine höhere Effizienz und Leistungsdichte sowie eine erhöhte Busspannung. Hieraus folgt der Bedarf an Leistungshalbleitern mit 650 V Durchbruchspannung. Die Infineon Technologies AG erfüllt mit der neuen 650 V CoolMOS™ CFD7-Produktfamilie diese Anforderungen. Sie eignet sich am besten für resonante Topologien in Anwendungen wie Telekommunikation, Server, Solar- und Off-Board- Ladestationen für Elektroautos.

Die 650-V-Bausteine erweitern den Spannungsbereich der bekannten CoolMOS CFD7-Familie und sind Nachfolgeprodukte für den CoolMOS CFD2. Sie eignen sich insbesondere für LLC- und phasenverschobene Vollbrückentopologien mit Nullspannungsschaltung, für die sie zahlreiche Vorteile bieten. Die um 50 V erhöhte Durchbruchspannung, eine integrierte schnelle Body-Diode und eine verbesserte Schaltleistung machen die Produktfamilie zu einer perfekten Lösung für moderne Designs. Eine sehr geringe Sperr-Erholungsladung und ein ausgezeichnetes thermisches Verhalten ergänzen die Vorteile des Schalters.

Er reduziert die Schaltverluste sowie die Temperaturabhängigkeit des Einschaltwiderstands (R DS(on)) deutlich. Die Produktfamilie bietet eine sehr gute Robustheit bei harter Kommutierung. Dank der verbesserten Gate-Ladung (Q g) und des schnellen Schaltverhaltens ermöglicht der 650 V CoolMOS CFD7 eine Erhöhung des Wirkungsgrads über den gesamten Lastbereich. Für SMPS-Anwendung, die hauptsächlich adressiert werden, bieten diese MOSFETs im Vergleich zum Wettbewerb eine hervorragende Leichtlast- und verbesserte Volllasteffizienz. Mit dem besten R DS(on) seiner Klasse bietet er die Möglichkeit, die Leistungsdichte von Schaltnetzteilen zu einem wettbewerbsfähigen Preis zu erhöhen.

Verfügbarkeit

Die 650-V-Familie des CoolMOS CFD7 kann ab sofort in den Gehäuseklassen TO-220, TO-247 und TO 247-4-Pin bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/650V-CFD7.

Informationsnummer

INFPSS202010-001

Pressefotos

  • Dank der verbesserten Gate-Ladung (Qg) und des schnellen Schaltverhaltens ermöglicht der 650 V CoolMOS™ CFD7 eine Erhöhung des Wirkungsgrads über den gesamten Lastbereich. Für SMPS-Anwendung bietet der MOSFET eine hervorragende Leichtlast- und verbesserte Volllasteffizienz. Mit dem besten RDS(on) seiner Klasse bietet er die Möglichkeit, die Leistungsdichte von Schaltnetzteilen zu einem wettbewerbsfähigen Preis zu erhöhen.
    Dank der verbesserten Gate-Ladung (Qg) und des schnellen Schaltverhaltens ermöglicht der 650 V CoolMOS™ CFD7 eine Erhöhung des Wirkungsgrads über den gesamten Lastbereich. Für SMPS-Anwendung bietet der MOSFET eine hervorragende Leichtlast- und verbesserte Volllasteffizienz. Mit dem besten RDS(on) seiner Klasse bietet er die Möglichkeit, die Leistungsdichte von Schaltnetzteilen zu einem wettbewerbsfähigen Preis zu erhöhen.
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  • Dank der verbesserten Gate-Ladung (Qg) und des schnellen Schaltverhaltens ermöglicht der 650 V CoolMOS™ CFD7 eine Erhöhung des Wirkungsgrads über den gesamten Lastbereich. Für SMPS-Anwendung bietet der MOSFET eine hervorragende Leichtlast- und verbesserte Volllasteffizienz. Mit dem besten RDS(on) seiner Klasse bietet er die Möglichkeit, die Leistungsdichte von Schaltnetzteilen zu einem wettbewerbsfähigen Preis zu erhöhen.
    Dank der verbesserten Gate-Ladung (Qg) und des schnellen Schaltverhaltens ermöglicht der 650 V CoolMOS™ CFD7 eine Erhöhung des Wirkungsgrads über den gesamten Lastbereich. Für SMPS-Anwendung bietet der MOSFET eine hervorragende Leichtlast- und verbesserte Volllasteffizienz. Mit dem besten RDS(on) seiner Klasse bietet er die Möglichkeit, die Leistungsdichte von Schaltnetzteilen zu einem wettbewerbsfähigen Preis zu erhöhen.
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  • Dank der verbesserten Gate-Ladung (Qg) und des schnellen Schaltverhaltens ermöglicht der 650 V CoolMOS™ CFD7 eine Erhöhung des Wirkungsgrads über den gesamten Lastbereich. Für SMPS-Anwendung bietet der MOSFET eine hervorragende Leichtlast- und verbesserte Volllasteffizienz. Mit dem besten RDS(on) seiner Klasse bietet er die Möglichkeit, die Leistungsdichte von Schaltnetzteilen zu einem wettbewerbsfähigen Preis zu erhöhen.
    Dank der verbesserten Gate-Ladung (Qg) und des schnellen Schaltverhaltens ermöglicht der 650 V CoolMOS™ CFD7 eine Erhöhung des Wirkungsgrads über den gesamten Lastbereich. Für SMPS-Anwendung bietet der MOSFET eine hervorragende Leichtlast- und verbesserte Volllasteffizienz. Mit dem besten RDS(on) seiner Klasse bietet er die Möglichkeit, die Leistungsdichte von Schaltnetzteilen zu einem wettbewerbsfähigen Preis zu erhöhen.
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