StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs mit 80 V und 100 V: passgenaue Produkte für ein breites Anwendungsspektrum

München – 9. März 2021 – Die Infineon Technologies AG hat die StrongIRFET™ 2-Familie auf den Markt gebracht – die neue Generation der Power-MOSFET-Technologie in 80 V und 100 V. Durch die breite Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern und das hervorragende Preis-Leistungs-Verhältnis sind diese passgenauen Produkte besonders für Designer geeignet, die an einer praktischen Auswahl und Beschaffung interessiert sind. Die Familie ist sowohl für niedrige als auch für hohe Schaltfrequenzen optimiert. Die Produkte unterstützen ein breites Anwendungsspektrum und ermöglichen so eine hohe Design-Flexibilität. Besonders Anwendungen wie Schaltnetzteile (SMPS), Motorantriebe, Akku-Werkzeuge, Batteriemanagement, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und leichte Elektrofahrzeuge profitieren von der StrongIRFET-Familie.

Im Vergleich zu vorherigen Generationen verbessert die neue StrongIRFET-Technologie den Durchlasswiderstand (R _DS(on)) um 40 Prozent und senkt die Gate-Ladung (Q _g) um mehr als 50 Prozent, was für eine höhere Energieeffizienz sorgt und die Systemleistung insgesamt verbessert. Die erhöhten Nennströme ermöglichen eine höhere Stromtragfähigkeit, wodurch die parallele Schaltung mehrerer Bausteine überflüssig wird. Das wiederum führt zu niedrigeren Stücklistenkosten und Einsparungen auf der Leiterplatte.

Verfügbarkeit

Die neuen StrongIRFET 2-Produkte können ab sofort im TO-220-Gehäuse bestellt werden. Die Familie umfasst ein breites Spektrum an R _DS(on)-Klassen in 80 V und
100 V. Das neue Portfolio wird in verschiedenen Gehäusen erhältlich sein, unter anderem im TO-220 FullPAK, D ²PAK, D ²PAK 7-pin und DPAK. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/strongirfet2.