80Vと100V 「StrongIRFET™ 2」パワーMOSFET：幅広いアプリケーションに最適な製品

2021/03/09 | マーケットニュース

2021年3月9日、ミュンヘン（ドイツ）
 
インフィニオン テクノロジーズ（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）は、80Vと100Vの新世代パワーMOSFETテクノロジーであるStrongIRFET™ 2を発売しました。流通パートナーに高い可用性を提供し、優れた価格性能比を実現するこのデバイスは、手ごろな選択や購入を考えている設計者にとり、最適な製品です。低スイッチング周波数と高スイッチング周波数の両方に最適化され、幅広いアプリケーションをサポートし設計の柔軟性を高めます。StrongIRFETを採用しているアプリケーションには、 SMPS、 モータドライブ、 バッテリ式パワーツール、 バッテリマネジメント、 UPS、 軽電気自動車などがあります。
 
新しいStrongIRFETテクノロジーは、前世代と比較して、RDS(on）の40％向上とQgの50％以上の低減を実現し、電力効率を高め、システム全体のパフォーマンスを向上させます。定格電流の増加により、電流伝送能力が向上するため、複数のデバイスを並列接続する必要がなくなり、BOMコストの削減とボードの節約が可能になります。
 
供給状況
TO-220パッケージに収容された新しいStrongIRFET 2製品が現在注文可能です。このファミリーは、80Vおよび100Vの幅広いRDS(on)クラスで構成されています。この新しいラインアップは、TO-220 FullPAK、D2PAK、D2PAK 7ピン、DPAKに続き、さまざまなパッケージで利用可能になる予定です。詳細は、 www.infineon.com/strongirfet2
をご覧ください。

Information Number

INFPSS202103-048j

Press Photos

  • Infineon’s new StrongIRFET™ 2 technology offers 40 percent RDS(on) improvement and over 50 percent lower gate charge (Qg) compared to the previous generation, translating into higher power efficiency for improved overall system performance. Increased current ratings allow for higher current carrying capability, eliminating the need to parallel multiple devices, which leads to lower BOM costs and board savings.
    Infineon’s new StrongIRFET™ 2 technology offers 40 percent RDS(on) improvement and over 50 percent lower gate charge (Qg) compared to the previous generation, translating into higher power efficiency for improved overall system performance. Increased current ratings allow for higher current carrying capability, eliminating the need to parallel multiple devices, which leads to lower BOM costs and board savings.
    StrongIRFET2_TO-220-3

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