Deutlich verbesserte Technologie des OptiMOS™ 6 100 V setzt neuen Industriestandard für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz

München – 15. November 2021 – Bei modernen Schaltnetzteilen (Switch-Mode Power Supplies, SMPS) und batteriebetriebenen Anwendungen gibt es einen klaren Trend zu höherer Effizienz und verbesserter Zuverlässigkeit. Um diesen Trend zu unterstützen, stellt die Infineon Technologies AG den OptiMOS™ 6 100 V mit einer neuen Leistungs-MOSFET-Technologie vor. Die neue Technologie ist speziell für Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen optimiert, wie z.B. in der Telekommunikation und in der Solartechnik, wo die Verluste mit Ladungen (Schalten) und dem Durchlasswiderstand (Leitung) verbunden sind. Gleichzeitig ist sie aufgrund des industrieweit besten R _DS(on) und des größeren sicheren Betriebsbereichs (SOA) auch ideal für batteriebetriebene Anwendungen (BPA) und Batteriemanagementsysteme (BMS).

Die MOSFET-Familie OptiMOS 6 100 V profitiert von einem neuartigen Design-Konzept und zeichnet sich durch einen verbesserten R _DS(on) und die branchenweit besten Kennzahlen (Figures-of-Merit, FOMs) aus. Sie kombiniert die Vorteile eines außergewöhnlich niedrigen Durchlasswiderstands mit einer hervorragenden Schaltleistung. Die einzigartigen Eigenschaften von OptiMOS 6 ermöglichen ein einfacheres thermisches Design und weniger Parallelisierung, was zu einem hervorragenden Wirkungsgrad, einer verbesserten Leistungsdichte, einer Reduzierung der Systemkosten und einer längeren Lebensdauer führt.

Insbesondere im Telekommunikationsmarkt ist der OptiMOS 6 ein „Game-Changer“, da er im Vergleich zum aktuellen OptiMOS 5 einen um 18 Prozent niedrigeren R _DS(on) und eine Verbesserung der FOMs (R _DS(on) x Q _g und Q _gd) um mehr als 30 Prozent erreicht. In einem 600 W -(36-60) V auf 12 V ZVS Buck-Boost-Wandler kann der OptiMOS 6 im SuperSO8-Gehäuse mit 2,2 mΩ einen um ein Prozent höheren Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich erreichen als der OptiMOS 5 BSC027N10NS5 (2,7 mΩ). Dies führt zu einer um 7 W geringeren Verlustleistung aufgrund verbesserter Ladungen und R _DS(on), was eine bis zu 15 Prozent höhere Leistungsdichte ermöglicht. Zu den wichtigsten Vorteilen gehört, dass die neue Technologie im 100-V-Bereich geringere Leitungs- und Schaltverluste ermöglicht und die Notwendigkeit der Parallelschaltung von Bauteilen minimiert.

Der OptiMOS 6 100 V ist eine energieeffiziente Lösung, die zu einer grüneren Welt beiträgt. Mit der Umstellung auf die neue MOSFET-Technologie bei Telekom-Stromversorgungen ließe sich ein jährliches Einsparpotenzial realisieren, das dem Stromverbrauch von 170 Haushalten entspricht. Die Bauteile tragen dazu bei, die Energiekosten über einen Zeitraum von zehn Jahren um eine Million Euro zu senken*.

Verfügbarkeit

Der OptiMOS 6 100 V ist jetzt in SuperSO8 5x6- und PQFN 3.3x3.3-Gehäusen in einer breiten Palette von R _DS(on)-Klassen erhältlich, von branchenführend bis hin zu preis/leistungsoptimiert. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/optimos-6-100V.

Mehr Informationen zum Beitrag von Infineon im Bereich Energieeffizienz: www.infineon.com/green-energy

* Angegebener Wert unter Berücksichtigung des durchschnittlichen jährlichen Energieverbrauchs der Haushalte in der EU. Die Aussage basiert auf der Effizienz, die durch den Ersatz von OptiMOS™ 5 durch OptiMOS™ 6 in der Primärseite eines 600 W 36...75 V auf 12 V Telekommunikations-Zwischenbuskonverters bei Nennnetzspannung erzielt würde. Berechnet anhand des typischen durchschnittlichen Gleichstromverbrauchs von BBU-Anlagen in Telekommunikationsnetzen in einem EU-Land mit ca. 80 Mio. Einwohnern, unter Annahme der von Eurostat veröffentlichten Strompreise für Unternehmen und deren Trends.