CoolSiC™ von Infineon liefert Stromversorgungskomponenten für den Elektrolyseur und den Energy Server von Bloom Energy

München – 18. Oktober 2022 – Die aktuelle Energiekrise zeigt deutlich, dass alternative Energiequellen für die Sicherung einer klimafreundlichen Energieversorgung dringend benötigt werden. Das kalifornische Unternehmen Bloom Energy hat sich bei der Stromversorgung des Bloom Energy Servers, dem Brennstoffzellenangebot des Unternehmens, und des Bloom Electrolyzer für CoolSiC™-MOSFETs und CoolSiC-Dioden der Infineon Technologies AG entschieden.

Die Brennstoffzellen und Elektrolyseure von Bloom Energy sind eine Antwort auf den Klimawandel und bieten mehrere Wege zur Kohlenstofffreiheit. Sie ermöglichen eine verbrennungsfreie Methode zur unabhängigen, nachhaltigen und berechenbaren Energieversorgung. Die einzelnen Festoxid-Brennstoffzellen (Solid Oxide Fuel Cell; SOFC) der Energieplattform werden mit Erdgas, Biogas oder Wasserstoff betrieben. Mit einem hohen elektrischen Wirkungsgrad bietet das System eine kontinuierliche Stromversorgung, die robust gegenüber Netzausfällen und Wetterbedingungen von -20 °C bis 45 °C ist.

„Die globale Reduzierung der CO ₂-Emissionen und eine erfolgreiche Energiewende sind zwei der größten Herausforderungen, um den Klimawandel auf unserem Planeten zu stoppen“, sagt Dr. Peter Wawer, President der Industrial Power Control Division von Infineon. „Bei Infineon sind wir davon überzeugt, dass Wasserstoff eine hervorragende Alternative zu CO ₂-emittierenden Energieträgern darstellt und damit ein wichtiges Instrument für die Dekarbonisierung der Energiewirtschaft und der Automobilindustrie ist. Wir freuen uns daher sehr, dass unsere CoolSiC-Bauteile einen wichtigen Beitrag zur Optimierung und Weiterentwicklung von Wasserstofftechnologien leisten.“

Aus Effizienzgründen hat sich Bloom Energy entschieden, CoolSiC-MOSFETs und -Dioden für die Stromversorgung ihres fortschrittlichen, führenden Brennstoffzellensystems zu verwenden. Im Vergleich zur vorherigen siliziumbasierten Generation konnte dadurch die Energieeffizienz des Systems um ein Prozent und die Leistungsdichte um 30 Prozent verbessert werden. Darüber hinaus wurden sowohl die Größe als auch die Kosten des Systems um 30 Prozent reduziert.

Der CoolSiC-MOSFET IMZ120R030M1H im TO-247-4-Gehäuse bietet industrieweit beste Schalt- und Leitungsverluste und bietet eine hohe Schwellspannung von V _th > 4 V. Für eine einfache und unkomplizierte Gate-Ansteuerung ermöglicht er eine Abschalt-Gate-Spannung von 0 V. Das Bauteil verfügt über einen großen Gate-Source-Spannungsbereich und eine robuste, verlustarme Body-Diode, die für eine harte Kommutierung ausgelegt ist. Die Abschaltverluste sind temperaturunabhängig.

Die CoolSiC-Schottky-Diode IDW30G120C5B kommt in einem TO-247-3-Gehäuse und liefert eine hervorragende Durchlassspannung. Darüber hinaus weist die Diode keine Reverse-Recovery-Ladung auf und bietet eine erstklassige Pulsstromfähigkeit sowie ein ausgezeichnetes thermisches Verhalten.

Verfügbarkeit

IMZ120R030M1H und IDW30G120C5B können bestellt werden. Mehr Informationen zum Beitrag von Infineon im Bereich Energieeffizienz: www.infineon.com/green-energy

Weitere Informationen über Bloom Energy sind erhältlich unter www.bloomenergy.com.