Infineon präsentiert 950 V CoolMOS™ PFD7-Familie mit integrierter schneller Body-Diode für Hochspannungs-Beleuchtung und industrielle SMPS

München – 27. Oktober 2022 – Um den Marktanforderungen nach verbesserten Formfaktoren und energieeffizienten Produkten gerecht zu werden, hat die Infineon Technologies AG eine neue CoolMOS™ PFD7-Hochspannungs-MOSFET-Familie entwickelt. Diese setzt einen neuen Maßstab für 950-V-Superjunction-Technologien (SJ). Die neue 950-V-Serie kombiniert erstklassige Leistung mit Benutzerfreundlichkeit und verfügt über eine integrierte schnelle Body-Diode, welche die Robustheit des Bauteils erhöht und dadurch die Stückliste (BOM) reduziert. Die neuen Produkte sind auf ultrahohe Leistungsdichte und höchste Effizienz ausgelegt und richten sich in erster Linie an Beleuchtungssysteme sowie an Stromversorgungen im Bereich Industrie und Consumer.

Die neuen Bauteile sind für Flyback-, PFC- und LLC/LCC-Designs geeignet, einschließlich Halb- oder Vollbrückenkonfigurationen. Sie sorgen für eine robuste und zuverlässige Kommutierung. Durch die Integration einer ultraschnellen Body-Diode mit ultraniedriger Reverse-Recovery-Aufladung (Q _rr) bieten sie Robustheit und Zuverlässigkeit bei harter Kommutierung. Damit sind sie die robustesten SJ-MOSFETs in dieser Spannungsklasse und können in allen Topologien der Zielanwendungen eingesetzt werden. Darüber hinaus ermöglichen die deutlich reduzierten Schaltverluste (E _OSS, Q _OSS, Q _g) einen verbesserten Wirkungsgrad in Hard- und Soft-Switching-Anwendungen. Das führt zu einer im Vergleich zum 900 V CoolMOS C3 SJ MOSFET um bis zu 4°K niedrigeren MOSFET-Temperatur. Die neuen Produkte verbessern die PFC-Effizienz bei Leicht- und Volllast um mehr als 0,2 Prozent, während sie gleichzeitig eine konkurrenzfähige LLC-Effizienz erreichen und so zu einer grüneren Welt beitragen.

Die neue Familie bietet bis zu 55 Prozent niedrigere Einschaltwiderstände (R _DS(on)) in verschiedenen SMD- und THD-Gehäusen, wie 450 mΩ in DPAK oder 60 mΩ in TO247. Das ermöglicht Entwicklern kleinere Gehäuse zu verwenden und so die Leistungsdichte zu erhöhen sowie den Platzbedarf auf der Leiterplatte zu verringern – bei gleichzeitig reduzierten Stücklisten- und Produktionskosten. Darüber hinaus ermöglichen die geringe Schwellenspannung (V _(GS),th) von 3 V und die kleinste V _(GS),th-Schwankung von ±0,5 V ein einfaches Design-in und eine einfache Ansteuerung, was zu größerer Designfreiheit führt. Aufgrund der niedrigen Schwellenspannung und -toleranz wird der lineare MOSFET-Betrieb vermieden, sodass eine niedrigere Ansteuerspannung und eine Reduzierung der Leerlaufverluste möglich sind. Darüber hinaus führt eine um 60 Prozent verbesserte Gate-Ladung im Vergleich zu CoolMOS C3 zu deutlich geringeren Treiberverlusten. Die ESD-Robustheit liegt bei einem HBM-Level der Klasse 2, wodurch ESD-bedingte Ausfälle reduziert und die Fertigungsausbeute verbessert werden.

Verfügbarkeit

Die neue 950-V-CoolMOS PFD7-Familie verfügt über eine sehr hohe Portfolio-Granularität mit verschiedenen SMD- und THD-Gehäusen, um kleinere Formfaktoren mit höherer Leistungsdichte und BOM-Einsparungen zu ermöglichen. Alle Produktvarianten können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/pfd7-950v.