インフィニオン、950 V CoolMOS™ PFD7ファミリーを発表

2022年10月27日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、フォーム ファクターの改善とエネルギー効率の高い製品を求める現代の市場ニーズに対応するため、新しいCoolMOS™ PFD7高電圧MOSFETファミリーを開発しました。950V超接合 (SJ) 技術の新しいベンチマークとなるこの新シリーズは、優れた性能と最新の使いやすさを兼ね備えており、高速ボディ ダイオードを内蔵しているため、デバイスの堅牢性とBOM (部品表) の削減を実現します。また、超高電力密度および高効率設計に対応し、主に 照明システム、民生用および産業用 電源アプリケーションを対象としています。

本製品はフライバック、PFC、LLC/LCCの設計に適しており、ハーフブリッジやフルブリッジの構成で整流が強固で信頼性の高いものとなっています。超高速ボディ ダイオードと超低逆回復電荷 (Q _rr) を搭載することで、ハード整流の堅牢性と信頼性を実現しています。これにより、この電圧クラスでは最も堅牢なSJ MOSFETとなり、対象となるアプリケーションのあらゆるトポロジーで使用することができます。また、スイッチング損失 (E _OSS、Q _OSS、Q _g) の大幅な低減により、ハードスイッチングおよびソフトスイッチング用途での効率が向上し、 900 VのCoolMOS™ C3 SJ MOSFETと比較してMOSFET温度が最大で4°K低くなっています。新製品は、軽負荷時および全負荷時のPFC効率を0.2%以上向上させるとともに、LLC効率に関しても同等の性能を有しており、環境に優しい社会の実現に貢献します。

新ファミリーは、DPAKの450mΩやTO247の60mΩなど、さまざまなSMDおよびTHDパッケージで最大55%低いオン抵抗 (RDS(on)) デバイスを提供しています。これにより、設計者はより小さなパッケージを使用し、BOMと製造コストを削減しながら、電力密度と基板面積を最適化することができます。また、ゲートソース間しきい値電圧 (V _(GS),th) が3 V、V _(GS),thの変動が±0.5 Vと小さく、デザインインや駆動が容易なため、設計の自由度を向上させることができます。また、低しきい値電圧と許容差により、MOSFETのリニア モード動作を回避し、低駆動電圧とアイドル ロスの低減を可能にします。さらに、CoolMOS™ C3 と比較してゲート チャージが 60%改善されているため、駆動損失が大幅に低減されています。ESD耐性はHBM (ヒューマン ボディ モデル) クラス2で確保されており、ESDによる故障の低減と製造歩留まりの向上を実現します。

供給体制について

新しい950 V CoolMOS™ PFD7ファミリーは、SMDおよびTHDパッケージにより、電力密度の向上とBOMの削減を伴うより小さなフォーム ファクターを可能にし、優れたポートフォリオ粒度を備えています。すべての製品バリエーションが現在注文可能です。より詳細な情報は、 こちらをご参照ください。