Neue Generation von 1200 V CoolSiC™-Trench-MOSFETs im TO263-7-Gehäuse treibt E-Mobilität voran

München – 13. Juni 2023 – Die Infineon Technologies AG präsentiert ihre neue Generation von 1200 V CoolSiC™-MOSFETs im TO263-7-Gehäuse für Automotive-Anwendungen. Die Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs bieten eine hohe Leistungsdichte und Effizienz, ermöglichen bidirektionales Laden und tragen maßgeblich zur Reduzierung der Systemkosten in On-Board-Charging (OBC)- und DC-DC-Anwendungen bei.

Die 1200 V-Variante der CoolSiC-Familie zeichnet sich durch äußerst effizientes Schaltverhalten aus, da sie im Vergleich zur ersten Generation um 25 Prozent geringere Schaltverluste aufweist. Dieses verbesserte Schaltverhalten ermöglicht höhere Schaltfrequenzen, was wiederum zu einer höheren Leistungsdichte und kleineren Systemgrößen führt. Mit einer Gate-Source-Schwellenspannung (V _GS(th)) von über 4 V und einem sehr niedrigen Verhältnis zwischen der Rückwirkungskapazität (C _rss) und Eingangskapazität (C _iss) ermöglicht die neue Generation ein zuverlässiges Abschalten bei V _GS = 0 V ohne das Risiko parasitärer Einschaltvorgänge einzugehen. Dies lässt eine unipolare Ansteuerung zu, was die Systemkomplexität und -kosten erheblich reduziert. Darüber hinaus zeichnet sich die neue Generation durch einen niedrigen Einschaltwiderstand (R _DS(on)) aus, der die Leitungsverluste über den gesamten Temperaturbereich von -55°C bis 175°C verringert.

Die fortschrittliche .XT Aufbau- und Verbindungtechnologie führt zu einer signifikanten Verbesserung der thermischen Eigenschaften des Gehäuses. Durch die verbesserte Anbindung an das Kühlsystem wird die Sperrschichttemperatur des SiC MOSFETs im Vergleich zur ersten Generation um 25 Prozent reduziert. Zudem weist der MOSFET eine Kriechstrecke von 5,89 mm auf und erfüllt somit die Anforderungen für 800-V-Systeme auf Gehäuseebene, ohne dass zusätzliche Beschichtungsschritte in der Anwendung erforderlich sind.

Infineon bietet eine Vielzahl von R _{DS(on) -}Varianten an, um eine optimale Anpassung an die spezifischen Anforderungen verschiedener Anwendungen zu gewährleisten. Darunter die einzige derzeit auf dem Markt erhältliche 9 mΩ-Variante im TO263-7-Gehäuse.

KOSTAL verwendet CoolSiC MOSFET in OBC-Plattform

KOSTAL Automobil Elektrik verwendet den neuesten CoolSiC MOSFET von Infineon in seiner OBC-Plattform der nächsten Generation für chinesische OEMs. KOSTAL ist ein weltweit führender Anbieter von Fahrzeugladesystemen. Mit seinem Standardplattform-Ansatz liefert das Unternehmen weltweit sichere, zuverlässige und hocheffiziente Produkte, die den unterschiedlichen Anforderungen der OEMs entsprechen und die international gültigen Normen erfüllen.

„Die Dekarbonisierung ist die größte Herausforderung dieses Jahrzehnts und damit eine große Motivation, die Elektrifizierung des Automobils gemeinsam mit unseren Kunden zu gestalten. Deshalb sind wir sehr stolz auf die Partnerschaft mit KOSTAL“, sagt Robert Hermann, Vice President für Automotive High Voltage Chips und Discretes bei Infineon. „Dieses Projekt unterstreicht die starke Position unseres Standardproduktportfolios im Markt für On-Board-Charger, die durch modernste SiC-Technologie ermöglicht wird.“

„Der neue 1200 V CoolSiC-Trench-MOSFET von Infineon ist eine Schlüsselkomponente für unsere zukünftige OBC-Plattform und zeichnet sich durch hohe Spannungsfestigkeit und Robustheit aus. Diese Vorteile helfen uns bei der Entwicklung eines kompatiblen Designs, um unsere hochmodernen technischen Lösungen, die Kostenoptimierung und die Markteinführung zu bewältigen“, sagt Shen Jianyu, Vice President und Technical Executive Manager bei KOSTAL ASIA.

Verfügbarkeit

Der 1200V CoolSiC MOSFET im TO263-7-Gehäuse ist ab sofort erhältlich. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/ATV-1200v-coolsic-mosfet.