インフィニオン、TO263-7パッケージの次世代1200 V CoolSiC™ トレンチMOSFETで eモビリティを後押し

2023年6月13日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は車載アプリケーション向けにTO263-7パッケージの新世代の1200 V CoolSiC™ MOSFETを発表しました。この車載グレードの新世代の炭化ケイ素 (SiC) MOSFETは、車載充電 (OBC) およびDC-DCアプリケーションにおいて、高電力密度と高効率、双方向充電を実現し、システムコストを大幅に削減します。

この1200 V CoolSiC™ファミリーは、第1世代と比較してスイッチング損失を25%低減することで、クラス最高のスイッチング性能を実現しています。スイッチング性能の向上により、高周波動作が可能になり、システムサイズの縮小と電力密度の向上につながります。4 V以上のゲートソース間閾値電圧 (VGS(th))と非常に低いCrss/Ciss比により、セルフターンオンのリスクなしにVGS = 0 Vでの信頼性の高いターンオフが達成されます。これにより、ユニポーラ駆動が可能となり、システムのコストと複雑さを低減することができます。さらに、低オン抵抗 (RDS(on)) を特徴とし、－55 ℃～175 ℃の全温度範囲において導通損失を低減します。

先進的な拡散はんだ付けチップマウント技術 (.XTテクノロジー) により、パッケージの熱容量が大幅に向上し、第1世代と比較してSiC MOSFETの接合部温度が25%低下しました。

さらに、MOSFETの沿面距離は5.89 mmで、800 Vのシステム要件を満たし、コーティングの手間を軽減しています。インフィニオンは、現在市販されているTO263-7パッケージの唯一の9 mΩタイプなど、多様なアプリケーションの要求に応えるために、さまざまなRDS (on) の選択肢を提供しています。

KOSTAL 、 車載充電器プラットフォームにCoolSiC™ MOSFETを採用

KOSTAL Automobil Elektrik社は、中国OEM向けの次世代車載充電器 (OBC) プラットフォームに、インフィニオンの最新のCoolSiC™ MOSFETを織り込んだ設計を行いました。KOSTALは、車載充電システムの世界的なリーディングサプライヤーです。同社の標準的なプラットフォームアプローチにより、さまざまなOEMの要件や世界的な規制に対応した安全で信頼性の高い、高効率な製品を世界中に提供しています。

インフィニオンの車載用ハイパワー チップおよびディスクリート担当バイスプレジデントであるロバート ヘルマンは「脱炭素化はこの10年の大きな課題であり、お客様とともに自動車の電動化を実現する大きなモチベーションです。そのため、KOSTALとのパートナーシップを非常に誇りに思っています。このプロジェクトは、最先端のSiC技術によって実現される車載充電器市場において、インフィニオンの標準的な製品ポートフォリオの強力な位置づけを明確化するものです」と述べています。

KOSTAL ASIAのバイスプレジデント兼技術エグゼクティブ マネージャーであるShen Jianyu氏は「KOSTAL社の次世代OBCプラットフォームの主要部品として、インフィニオンの新しい1200 V CoolSiC™ Trench MOSFETは、高電圧定格と適格な堅牢性を備えています。これらの利点は、当社の最先端の技術ソリューション、コストの最適化、大規模な市場投入を実現するための、互換性のある設計を作成する上で重要となります」と述べています。

供給状況について

TO263-7パッケージの1200 V CoolSiC™ MOSFETは現在発売中です。詳細については、 www.infineon.com/ATV-1200v-coolsic-mosfetをご覧ください。