Infineon erweitert CoolSiC™ MOSFET-Familie um 650-V-TOLL-Portfolio und ermöglicht bessere thermische Leistung, höhere Leistungsdichte und einfachere Montage

München – 19. Juli 2023 – Die Digitalisierung, die Urbanisierung und die zunehmende Elektromobilität prägen die sich rasch verändernde Welt, und der Stromverbrauch erreicht ein nie dagewesenes Niveau. Die Infineon Technologies AG reagiert auf diese Megatrends und präsentiert den Siliziumkarbid (SiC) CoolSiC™ MOSFET 650 V im TO-Leadless (TOLL)-Gehäuse. Die neuen SiC-MOSFETs erweitern das umfassende CoolSiC-Portfolio und sind für niedrigste Verluste, höchste Zuverlässigkeit und einfache Handhabung optimiert. Sie sind vor allem für Anwendungen wie Stromversorgungen für Server, Infrastrukturen für Telekommunikation sowie Energiespeichersysteme und Batterieformationslösungen geeignet.

Die Hochleistungs-SiC-Leistungs-MOSFETs CoolSiC 650 V auf Trench-Basis werden in einem granularen Portfolio angeboten, um unterschiedliche Anwendungen abzudecken. Die neue Familie wird in einem JEDEC-qualifizierten TOLL-Gehäuse mit niedriger parasitärer Induktivität geliefert. Dieses erlaubt zum einen eine höhere Schaltfrequenz bei geringeren Schaltverlusten, zum anderen ein gutes Wärmemanagement sowie eine automatisierte Montage. Der kompakte Formfaktor ermöglicht eine effiziente und effektive Nutzung der Leiterplatte. Systementwickler können so eine hervorragende Leistungsdichte erreichen.

Die CoolSiC MOSFETs 650 V zeichnen sich durch Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen aus. Dadurch sind sie ideal für Topologien mit wiederholter harter Kommutierung geeignet. Die innovative .XT-Verbindungstechnologie verbessert die thermische Leistung der Komponenten weiter, indem der thermische Widerstand (R _th) und die thermische Impedanz (Z _th) reduziert werden. Darüber hinaus verfügen die neuen Bauteile über eine Gate-Schwellspannung (V _GS(th)) von mehr als 4 V, die sie robust gegen parasitäres Einschalten macht. Außerdem zeichnen sie sich durch eine robuste Body-Diode und das stärkste Gate-Oxid (GOX) auf dem Markt aus, was zu äußerst niedrigen FIT-Raten (failures in time) führt.

Im Allgemeinen wird eine Abschaltspannung (V _GS(off)) von 0 V empfohlen, um die Ansteuerung zu vereinfachen (unipolare Ansteuerung). Das neue Portfolio unterstützt allerdings ein breites Ansteuerungsintervall der V _GS-Spannung im Bereich von -5 V (Ausschalten) bis 23 V (Einschalten). Dies ermöglicht eine einfache Anwendung und Kompatibilität mit anderen SiC-MOSFETs und Standard-MOSFET-Gate-Treiber-ICs. Die neuen Bauteile zeichnen sich daher durch eine höhere Zuverlässigkeit und eine geringere Systemkomplexität aus. Sie ermöglichen eine automatisierte Montage, was die System- und Produktionskosten senkt und die Markteinführung beschleunigt.

Verfügbarkeit

Der neue CoolSiC MOSFET 650 V in industrietauglichen, diskreten TOLL-Gehäusen ist in verschiedenen Drain-Source-On-Widerstandsoptionen (R _DS(on)) von 22 bis 83 mΩ erhältlich und kann ab sofort bestellt werden. 107 mΩ-, 163 mΩ- und 260 mΩ-Versionen werden auf Anfrage verfügbar sein. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes.

Mehr Informationen zum Beitrag von Infineon im Bereich Energieeffizienz: www.infineon.com/green-energy