Infineon und VMAX verstärken Zusammenarbeit für energieeffizientes und kostengünstiges Schnellladen von Elektrofahrzeugen

München, 5. Februar 2024 – VMAX, ein chinesischer Hersteller von Leistungselektronik und Motorantrieben für New Energy Vehicles (NEV), setzt für seine nächste Generation von 6,6 kW On-Board-Ladegeräten (OBC/DCDC) auf den neuen CoolSiC™ Hybrid Discrete mit TRENCHSTOP™ 5 Fast-Switching IGBT und CoolSiC Schottky Diode der Infineon Technologies AG. Die Bauteile im D²PAK-Gehäuse kombinieren ultraschnelle TRENCHSTOP 5 IGBTs mit anti-parallelen SiC-Schottky-Dioden mit halbem Nennstrom. Damit wird ein optimales Preis-Leistungs-Verhältnis sowohl für hart- als auch für weich-schaltende Topologien erreicht. Mit ihrer hervorragenden Leistung, der optimierten Leistungsdichte und der erstklassigen Qualität eignen sich die Leistungshalbleiter ideal für die On-Board-Ladegeräte von VMAX.

„Wir sind stolz darauf, dass wir uns in unserem OBC der nächsten Generation für den CoolSiC Hybrid von Infineon entschieden haben und damit eine höhere Zuverlässigkeit, Stabilität, Leistung und Leistungsdichte erreichen. Dadurch wird unsere bereits starke Partnerschaft mit Infineon weiter gefestigt und die technologische Anwendungsinnovation durch eine enge Zusammenarbeit vorangetrieben. Auf diese Weise fördern wir gemeinsam die Entwicklung von New Energy Vehicles“, sagt Jinzhu Xu, PL Director & Chief Engineer, R&D Department bei VMAX.

„Wir freuen uns, unsere Partnerschaft mit VMAX mit unseren hocheffizienten Hybrid-Produkten zu vertiefen“, sagt Robert Hermann, Vice President für Automotive High Voltage Chips und Discretes bei Infineon. „Gemeinsam werden wir die Entwicklung der Elektromobilität weiter vorantreiben und effiziente Lösungen anbieten, die den Anforderungen der Branche in Bezug auf Leistung, Qualität und Systemkosten gerecht werden.“

Ausgestattet mit einem schnellen, hart-schaltenden TRENCHSTOP 5 650 V IGBT und einer CoolSiC Schottky-Diode, die fast frei von Rückstromspitzen ist, profitiert der diskrete Hybrid von sehr geringen Schaltverlusten bei Schaltgeschwindigkeiten über 50 kHz. Dadurch ist das Bauteil eine hervorragende Wahl für Hochstrom-Ladesysteme für Elektrofahrzeuge. Darüber hinaus bietet die robuste CoolSiC-Schottky-Diode der fünften Generation eine erhöhte Widerstandsfähigkeit gegenüber Stoßströmen und maximiert so die Zuverlässigkeit. Des Weiteren wurde durch das Diffusionslöten der SiC-Diode der Wärmewiderstand (R _th) zum Gehäuse für kleine Chipgrößen verbessert, was zu einer erhöhten Leistungsschaltfähigkeit führt. Mit diesen Merkmalen ermöglicht das Produkt eine optimale Systemzuverlässigkeit und Langlebigkeit und erfüllt die hohen Anforderungen der Automobil-Industrie. Um die Kompatibilität mit bestehenden Designs weiter zu maximieren, verfügt das Bauteil außerdem über ein Pin-zu-Pin-kompatibles Design, das auf dem weit verbreiteten D²PAK-Gehäuse basiert.

Verfügbarkeit

Der CoolSiC Hybrid Discrete mit TRENCHSTOP 5 Fast-Switching IGBT in Kombination mit der CoolSiC Schottky Diode G5 ist ab sofort erhältlich. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/cms/en/product/power/igbt/coolsic-hybrid-devices/hybrid-discretes/aikbe50n65rf5/.

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power-Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.600 Beschäftigten und erzielte im Geschäftsjahr 2023 (Ende September) einen Umsatz von rund 16,3 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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