Infineon setzt mit OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs neue Maßstäbe für verbesserte Leistungsdichte und Effizienz

München, 13. März 2024 – Mit der Einführung der OptiMOS™ 6 200 V MOSFET-Produktfamilie ermöglicht die Infineon Technologies AG einen weiteren Entwicklungsschritt für elektrische Antriebe in puncto Effizienz, Leistungsdichte und Systemzuverlässigkeit. Das Portfolio wurde für eine optimale Leistung in Anwendungen wie E-Scootern, Elektrokleinfahrzeugen und E-Gabelstaplern entwickelt. Die Leitverluste und das Schaltverhalten der neuen MOSFET-Generation wurden verbessert. Letzteres reduziert die elektromagnetischen Emissionen (EME) und die Schaltverluste. Das wiederum bietet Vorteile für verschiedene Anwendungen, darunter Server, Telekommunikation, Energiespeichersysteme, Audio und Solar. Des Weiteren eignet sich die Kombination aus einer weiten Safe Operating Area (SOA) und einem branchenführenden Einschaltwiderstand perfekt für statische Schaltanwendungen wie Batteriemanagementsysteme. Mit der Einführung der neuen OptiMOS 6 200 V Produktfamilie setzt Infineon, zum Nutzen seiner Kunden, einen neuen Branchenstandard für Leistungsdichte, Effizienz und Systemzuverlässigkeit.

Das OptiMOS 6 200 V Portfolio zeichnet sich durch spezifische technische Verbesserungen im Vergleich zum Vorgänger OptiMOS 3 aus. Es weist einen um 42 Prozent niedrigeren Einschaltwiderstand auf, was zu geringeren Leitverlusten und einer höheren Ausgangsleistung beitragen kann. Das Bodydiodenverhalten der OptiMOS 6 200 V MOSFETs ist dreimal weicher als das der OptiMOS 3 Produktfamilie. In Kombination mit einer bis zu 89-prozentigen Reduzierung der Q _rr(typ) führt dies zu einem verbesserten Schalt- und EMV-Verhalten. Die Technologie zeichnet sich auch durch eine verbesserte Kapazitätslinearität (C _oss und C _rss) aus, die die Oszillationen sowie Überschwingen beim Schalten reduziert. Eine geringere V _GS(th)-Spanne und Transkonduktanz verbessern die Stromaufteilung unter parallelgeschalteten MOSFETs, was zu gleichmäßigeren Temperaturen und einer potentiell reduzierten Anzahl an parallelen MOSFETs führt. Die OptiMOS 6 200 V Produkte verfügen über eine verbesserte SOA und sind gemäß J-STD-020 als MSL 1 klassifiziert. Die RoHS-konformen, bleifreien Produkte entsprechen den aktuellen Industriestandards.

Verfügbarkeit

Die OptiMOS 6 200 V MOSFETs sind in verschiedenen Gehäusen erhältlich, um den unterschiedlichen Anforderungen der verschiedenen Anwendungen gerecht zu werden. Das breite Gehäuseportfolio umfasst das PQFN 3.3.x3.3, SuperSO8 5x6, TOLL, TO-220, D2PAK-7P sowie das D2PAK. Alle Varianten können ab sofort bestellt werden. Mehr Informationen sind verfügbar unter www.infineon.com/optimos-6-200v.

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power-Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.600 Beschäftigte und erzielte im Geschäftsjahr 2023 (Ende September) einen Umsatz von rund 16,3 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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