Gate-Treiber-ICs für den Automobilbereich
Das umfassende Portfolio an Gate-Treiber-ICs von Infineon mit Automotive-Qualifizierung trägt zu einer Vereinfachung des Designs und zur Optimierung der Leistung in allen Treiberstufen von Feldeffekttransistoren und IGBTs bei.
Automotive Gate Treiber ICs Subkategorien
Infineon bietet eine breite Palette von Gate-Treiber-ICs mit Automotive-Qualifizierung für den Einsatz von MOSFET-, IGBT- und SiC-Technologien in Automobilanwendungen (12 V bis 1200 V). Durch integrierte Schutz-, Überwachungs- und Diagnosefunktionen lassen sich die Anforderungen an die funktionale Sicherheit nach ISO 26262 problemlos erfüllen.
Die für den Automobilbereich qualifizierten Gate-Treiber-ICs von Infineon decken den Niederspannungsbereich von 12-V- und 48-V-Anwendungen mit ISO 26262-konformen Vollbrücken- und Dreiphasen-Brückentreibern vollständig ab. Die Produkte sind ideal geeignet für eine Vielzahl von Automobilanwendungen wie elektrische Servolenkungen, Bremskraftverstärker, Startergeneratoren für Mild-Hybrid-Fahrzeuge, aktive Wankstabilisierung, HLK-Kompressoren sowie Pumpen und Lüfter, und überall dort, wo der Wirkungsgrad, ein geringer Platzbedarf und Überwachungsfunktionen Priorität haben.
Der für den Automobilbereich qualifizierte Gate-Treiber EiceDRIVER™ von Infineon mit galvanischer Trennung eignet sich für Automobilanwendungen mit Leistungen über 5 kW wie Haupt-Wechselrichter, Gleichspannungswandler und On-Board-Batterieladegeräte in (Hybrid-)Elektrofahrzeugen. Ferner unterstützt er IGBT- und SiC-Technologien bis 1200 V.
Unsere schnell schaltenden Automotive-ICs für hohe Spannungen steigern den Wirkungsgrad in allen mit hohen Spannungen arbeitenden Zusatzanwendungen wie HLK-Kompressoren, PTC-Zuheizern und On-Board-Batterieladegeräten sowie Pumpen und Lüftern, um deren Leistung in (Hybrid-)Elektrofahrzeugen zu maximieren.
Recommended documents
Die Produktfamilie EiceDRIVER™ von Infineon bietet IGBT-Treiber-ICs und SiC-MOSFETs für den Automobilbereich, die galvanisch getrennt sind und bidirektionale Signalübertragung bei hohen Umgebungstemperaturen ermöglichen. Die Verzögerung der Signalausbreitung ist bei diesen Gate-Treibern extrem kurz, sodass der Entwickler beim Design größtmögliche Freiheiten hat. Gleichzeitig sorgt die Coreless Transformator-Technologie (CT) von Infineon für eine effektive galvanische Trennung. Die Gate-Treiber der Produktfamilie EiceDRIVER™ unterstützen IGBT- und SiC-Technologien bis 1200 V. Dabei erleichtern erweiterte Überwachungs- und Schutzfunktionen die Umsetzung der ISO 26262-Anforderungen an die funktionale Sicherheit. Die Produkte funktionieren zudem auch unter schwierigen EMV-Bedingungen sehr zuverlässig.
Die Produktfamilie EiceDRIVER™ nutzt eine RoHS-konforme und robuste Gehäuselösung, die speziell für die Anforderungen der Automobilindustrie entwickelt wurde. Diese Gehäuse ermöglichen in der Spitze Reflow-Temperaturen von 260 °C, ohne dass dies die vollständige Qualifizierung nach AEC Q101 beeinträchtigt. Dank unserer Null-Fehler-Strategie übertreffen unsere marktführenden Produkte die AEC-Q101-Qualitätsstandards für die Automobilindustrie.
Mit äußerst kompakten Gehäuse und einem hohen Maß an integrierten Funktionen lässt sich die Anzahl der externen Komponenten deutlich verringern. Dies vereinfacht das Leiterplattenlayout, minimiert die Systemkosten und verringert den benötigten Platz auf der Leiterplatte.
Die EiceDRIVER™-Produkte von Infineon eignen sich perfekt für Automobilanwendungen wie Haupt-Wechselrichter, Gleichspannungswandler oder On-Board-Batterieladegeräte, bei denen es vor allem auf einen hohen Wirkungsgrad sowie auf Platzersparnis und Sicherheit ankommt.
Durch den Einsatz von Leistungselektronikbausteinen auf der Basis von SiC-Technologie, z. B. CoolSiC™-MOSFETs, in xEV-Anwendungen wie Haupt-Wechselrichtern oder On-Board-Batterieladegeräten und Gleichspannungswandlern lässt sich die Reichweite von (Hybrid-)Elektrofahrzeugen erhöhen. Außerdem bewirken sie, dass beim Laden weniger Energieverluste auftreten.
SiC-MOSFET-Gate-Treiber-ICs der Produktfamilie EiceDRIVER™ eignen sich perfekt für CoolSiC™-MOSFETs und sorgen dafür, dass die volle Leistungsfähigkeit der SiC-Leistungsschalter zum Tragen kommt.
Im EiceDRIVER™-Portfolio für die Automobilindustrie sind die 1EDI303XAS-Varianten 1EDI3030AS, 1EDI3031AS und 1 EDI 3033 ALS für SiC optimiert. Sie weisen die wichtigsten Merkmale und Parameter zur Ansteuerung von SiC-MOSFETS auf, so ein verbessertes Schaltverhalten (erweiterte CMTI-Fähigkeit, kurze Verzögerung der Signalausbreitung, Schaltfrequenz), einen großen ausgangsseitigen Spannungsbereich, eine kurze interne Totzeit und Schwellenwertanpassung über DESAT-/OCP.
Die Produktfamilie EiceDRIVER™ 1EDI302XAS/1EDI303XAS bietet für den Automobilbereich qualifizierte, pin-kompatible und für IGBTs und SiC-MOSFETs optimierte Produktvarianten. Dank der Pin-Kompatibilität ist es einfach, zwischen einzelnen Varianten zu wechseln und Steuergeräte im Handumdrehen an die Anforderungen unterschiedlicher Anwendungen anzupassen.
Mit der äußerst robusten und bewährten kernlosen Transformatortechnologie (CT) von Infineon können Signale über die galvanische Trennung hinweg bidirektional übertragen werden.
Da die EiceDRIVER™-Gate-Treiber umfassende Sicherheitsfunktionen aufweisen und ISO 26262-konform sind, erleichtern sie die Umsetzung der funktionalen Sicherheit auf Systemebene bis hin zu ASIL D. Mit dem kompakten 20-poligen Gehäuse sind diese Produktvarianten die schlanksten ISO 26262-konformen Gate-Treiber auf dem Markt.
Wenn Sie für die Traktionswechselrichter, Gleichstromwandler und On-Board-Batterieladegeräte von Hybrid- und Vollelektrofahrzeugen nach zuverlässigen Elektronikbausteinen suchen, mit denen sich strengste Qualitäts- und Leistungsanforderungen erfüllen lassen, entscheiden Sie sich für die neue Gate-Treiber-Produktfamilie EiceDRIVER™ von Infineon für den Automobilbereich mit den Varianten 1EDI3020AS, 1EDI3021AS, 1EDI3023AS, 1EDI3030AS, 1EDI 3031AS und 1EDI3033AS
