インフィニオン、第5世代1200V「thinQ!™」SiCショットキーダイオードを提供開始。単相/三相アプリケーションで効率性、信頼性を向上

2014年6月16日、ノイビーベルク（ドイツ）

独インフィニオンテクノロジーズは、第5世代1200V「thinQ!™」SiCショットキーダイオードの提供開始によって、包括的なSiCポートフォリオを拡大しました。新製品の1200V SiCダイオードは、動作温度でも超低順方向電圧を実現するほか、サージ電流耐量は100%以上向上しており、傑出した熱特性を実現します。これらの特長によって、ソーラーインバータ、無停電電源（UPS）、3 相スイッチモード電源（SMPS）、モータ駆動装置では、大幅な効率化が実現します。

第5世代SiCダイオードは、最新のコンパクトチップ設計を使用しており、これは、ショットキーのセルフィード内でpn接合を結合する技術によって、実現しています。これによって、チ ップ面積あたりの抵抗が低くなります。その結果、例えば、全負荷時に20kHzで動作する3相ソーラーインバータのフロントエンドブースト段では、ダ イオード損失を旧世代比で最大30%低減することが可能です

ジャンクション温度が150℃の場合、順方向電圧（Typ.値）はわずか1.7Vで、旧世代比で30%低くなっています。これは、1200V SiCダイオード市場で最小の順方向電圧となっています。そ のため、新型SiCダイオードは、UPSシステムなど、比較的高負荷で動作するアプリケーションに最適です。さらに、スイッチング周波数が低い場合でも、システム効率が向上します。

ダイオードのアンペア定格によって異なりますが、サージ電流耐量は、定格電流の最大14倍の定格であり、アプリケーションのサージ電流イベント時には、堅牢なダイオード動作を保証します。これによって、バ イパスダイオードが不要となり、複雑性とシステムコストが軽減されます。

インフィニオンのローランドスティール（Roland Stele）（IGBT/SiCパワーディスクリート担当マーケティングディレクター）は、次のように述べています。「 インフィニオンが目指しているのは、お客様の設計から、最高の効率性を引き出す機会を実現する製品の提供であり、新登場の第5世代ダイオードは、こうした目標を強調するものです。ダイオード損失の低下により、よ り広範なスイッチング周波数への対応が可能であると同時に、サージ電流耐量の向上により、信頼性もさらに高まっています。インフィニオンの最新世代のSiCショットキーダイオードは、将 来有望なSiC材料の潜在能力をフルに引き出すための、大きな一歩です」

ブーストおよび力率改善回路（PFC）ブーストトポロジにて、インフィニオンのクラス最高の1200V「Highspeed3」IGBTとの組み合わせにより、新型1200V「thinQ!」S iCショットキーダイオードを実装することで、システムレベルで極めて大きなメリットが得られます。従来型のSiダイオードと比較した場合、ダイオードの損失が抑えられる以外にも、ターンオン損失の削減（ ＝ヒートシンクの小型化や効率化）やEMI（電磁干渉）の軽減（より小型で、コスト効果に優れたEMIフィルタ）によって、「Highspeed3」IGBTのパフォーマンスが向上します。

供給状況

第5世代SiCダイオードの全ポートフォリオは、TO-247、TO-220、DPAKのパッケージで提供されます。このほか、TO-247パッケージによる、クラス最高の新型40Aダイオードと、陰 極を共通とし、インターリーブトポロジでさらなる省スペース化を実現するデュアル構成も提供されます。TO-247パッケージ版のサンプル出荷はすでに開始しており、量産出荷は、2014年7月に開始します。そ の他のパッケージの派生製品は、2015年中の提供開始予定です。第5世代1200V「thinQ!™」SiCショットキーダイオードについての詳細は、 www.infineon.com/sicdiodes1200V をご覧ください。

インフィニオン テクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、 エネルギー効率、 モビリティ、 セキュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。 2013会計年度（9 月決算）の売上高は38億4000万ユーロ、従 業員は世界全体で約2万6,700人です。インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場、米 国では店頭取引市場のOTCQXに株式上場しています。

インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。

本社サイト： http://www.infineon.com

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