最新のTRENCHSTOP™ IGBT7とEC7ダイオードは産業用ドライブをターゲットとして設計

2019/03/18 | マーケットニュース

2019年3月7日、ミュンヘン（ドイツ） 

インフィニオン テクノロジーズは、1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7と、エミッタ制御のEC7ダイオードを新たに発表しました。このIGBTはより高い電力密度を備え、またシステムコストを引き下げると共にシステムサイズの小型化にも貢献します。良く知られたEasyハウジングに収められたこのパワーモジュールは、 産業用ドライブからのニーズに合わせて設計されています。 

TRENCHSTOP IGBT7チップは新しいマイクロパターンのトレンチテクノロジーをベースとし、IGBT4と比較して`導通損失をはるかに低く抑えながら動作します。このIGBTでは導通損失が20%削減されています。このことにより、あまり速くないスイッチング周波数で動作する産業用ドライブでの損失が大きく軽減されます。これらのパワーモジュールの最大ジャンクション温度は175℃です。またよりソフトなスイッチングと制御性の改善も特徴となっています。 

新しい1200 V TRENCHSTOP IGBT7モジュールは、TRENCHSTOP IGBT4と同じピン配置を備えているためメーカーの設計作業を軽減します。さらに重要なこととして、モジュールでは同一パッケージからより高い出力電流が、あるいはより小型のパッケージから同等の出力電流が得られます。この結果として、より小型のインバーターが必要とされる場合にも、それに対応した設計が可能になります。すべてのタイプのモジュールには、オーム抵抗と処理時間を削減するため、信頼性に優れたインフィニオンのPressFitテクノロジーが採用されています。 

出荷状況

新しいTRENCHSTOP IGBT7テクノロジーは、電流クラス10Aと25Aについては業界標準のEasyPIM™ハウジングにより提供されています。より大きな出力が必要な場合にはEasyPACK™ 2Bが100 Aに対応しています。リードには FP10R12W1T7_B11、 FP25R12W1T7_B11、および FS100R12W2T7_B11が用意されています。詳細については www.infineon.com/IGBT7をご覧ください

Information Number

INFIPC201903-045j

Press Photos

  • Based on the new micro-pattern trench technology, the TRENCHSTOP IGBT7 chip performs with much lower static losses compared to the IGBT4. Its on-state voltage is reduced by 20 percent.
    Based on the new micro-pattern trench technology, the TRENCHSTOP IGBT7 chip performs with much lower static losses compared to the IGBT4. Its on-state voltage is reduced by 20 percent.
    TRENCHSTOP_IGBT7_Easy_1B

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  • Based on the new micro-pattern trench technology, the TRENCHSTOP IGBT7 chip performs with much lower static losses compared to the IGBT4. Its on-state voltage is reduced by 20 percent.
    Based on the new micro-pattern trench technology, the TRENCHSTOP IGBT7 chip performs with much lower static losses compared to the IGBT4. Its on-state voltage is reduced by 20 percent.
    TRENCHSTOP_IGBT7_Easy_2B

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