インフィニオン、それぞれの製品カテゴリーからの最高の要素であるCoolSiC™ MOSFETとTRENCHSTOP™ IGBTをEasy 2Bパッケージに収めることによりシステムの効率を改善

2019年7月19日、ミュンヘン（ドイツ） 

従来の３レベルのNPC（neutral-point- clamped）トポロジーと比較し、ANPC（advanced neutral-point-clamped）によるインバーターでは半導体デバイス間の損失配分を最適化することが可能です。インフィニオン テクノロジーズはANPCトポロジーを、SiCとIGBTパワーモジュールを組み合わせた1200 VファミリーのEasyPACK™ 2Bモジュールに採用しました。CoolSiC™ MOSFETとTRENCHSTOP™ IGBT4チップセットの損失をそれぞれ最適化し、電力密度を高めると共にスイッチング周波数を最大48 kHzにまで引き上げています。これは新しい1500 Vを生成する 太陽光発電と蓄電アプリケーションに特に適しています。 

新しいANPCトポロジーは、99%を超えるシステム効率をサポートします。ハイブリッド型Easy 2Bパワーモジュールを1500 Vの太陽光発電用ストリングインバーターのDC/ACステージに採用することにより、スイッチング周波数の低いデバイスよりも受動部品を小型化することが可能となります。インバーターの重量も、シリコンのコンポーネントのみを使用した同等のデバイスと比較して大きく削減され、シリコンカーバイドの損失はシリコンを下回ります。このため発熱も小さくなり、ヒートシンクの小型化が実現します。これらの特長によってインバーターのハウジングが小型化され、システムレベルでのコスト節約が得られます。さらに3レベルのトポロジーは、5レベルと比較してインバーター設計の複雑さを軽減します。 

パワーモジュール向けのEasy 2Bパッケージは、業界をリードする寄生インダクタンスの低さを特徴としています。またCoolSiC MOSFETチップに内蔵されているボディダイオードを使うことにより、SiCダイオードチップの追加を必要とすることなく低損失の環流機能が実現しています。NTC温度センサーがこのデバイスを監視し、PressFITテクノロジーがデバイス取り付けに必要な時間を短縮します。 

供給状況

このハイブリッド型EasyPACK 2B（ F3L11MR12W2M1_B65）デバイスの供給はすでに開始されています。詳細については www.infineon.com/coolsic-mosfetをご覧ください。