最高級の価格と性能:低周波アプリケーション向け 600 V CoolMOS™ S7 スーパージャンクション MOSFET
2020年3月2日 、ミュンヘン(ドイツ)
インフィニオン テクノロジーズ AG(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) が最高レベルの効率性と品質を実現するソリューションとして、低周波でMOSFETのスイッチングを行うアプリケーションの電力密度と省エネをリードする、 600 V CoolMOS™ S7製品ファミリーを開発しました。CoolMOS S7製品ファミリーは、導通性能の最適化、熱抵抗の向上、高パルス電流耐量などの特徴を備えていますが、すべてが最高の品質基準を満たしています。アクティブブリッジ整流、インバータ、PLC、 ソリッドステートリレー、ソリッドステートブレーカなど、さまざまな用途に対応します。さらに10 mΩ CoolMOS S7 MOSFETは、業界最小のオン抵抗を実現したデバイスです。
CoolMOS S7は、導通損失を最小限に抑え、最小のレスポンス時間を実現するとともに、低周波スイッチングアプリケーションの効率を向上させるために開発された製品ファミリーです。従来のCoolMOS 7製品と比較すると、RDS(on)x Aが低く、オン抵抗の低減とスイッチング損失のトレードオフを低コストで成功しています。CoolMOS S7製品は、高電圧スイッチ向けに市場最小のオン抵抗(RDS(オン))を実現しています。さらに、10mΩチップは革新的なトップサイド冷却型QDPAK、22mΩチップは最先端の小型TOリードレス(TOLL)SMDパッケージ搭載に成功。費用対効果が高く、シンプルかつコンパクトで、モジュール式の高効率設計を可能にするMOSFETです。この製品は規制やエネルギー効率認定基準(SMPS用Titanium®)にも容易に対応できるだけでなく、パワーバジェットを満たしながら、部品数、ヒートシンク、および総コスト(TCO)を削減することができます。
供給状況
22 mΩ 600 V CoolMOS S7デバイスは、TOリードレスおよびTO-220型、40 mΩと65 mΩデバイスは、TOリードレス型パッケージで販売しています。10 mΩCoolMOS S7 MOSFETは、2020年第4四半期に出荷予定です。詳細はこちら www.infineon.com/s7。
Information Number
INFPMM202003-034j
Press Photos
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The newly launched 600 V CoolMOS™ S7 product family leads the way for power density and energy efficiency for applications where MOSFETs are switched at a low frequency.600V_QDPAK_CoolMOS_S7_HDSOP-22-01_Combi
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The newly launched 600 V CoolMOS™ S7 product family leads the way for power density and energy efficiency for applications where MOSFETs are switched at a low frequency.600V_CoolMOS_S7_TO220-3-1_vA
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The newly launched 600 V CoolMOS™ S7 product family leads the way for power density and energy efficiency for applications where MOSFETs are switched at a low frequency.600V_CoolMOS_S7_TO-Leadless_HSOF-8-2
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