インフィニオン、600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETファミリーを発表

2024年6月6日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、600 V CoolMOS™ 8高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET製品ファミリーを発表しました。これらのデバイスは、600 V CoolMOS™ 7 MOSFETシリーズの最高の機能を組み合わせており、P7、PFD7、C7、CFD7、G7、S7製品ファミリーの後継製品です。この新しいSJ MOSFETはコスト効率の高いシリコンベースのソリューションを実現し、インフィニオンのワイドバンドギャップ製品を補強します。高速ボディダイオードを内蔵することにより、サーバーおよび産業用スイッチング電源ユニット (SMPS)、EV充電器、マイクロソーラーなどの幅広いアプリケーションに適しています。

これらのコンポーネントはSMD QDPAK、TOLL、ThinTOLL 8 x 8パッケージで提供されることにより、設計が簡素化され、組み立てコストが削減されます。600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETのゲート電荷 (Q _g) は、10 VにおいてCFD7より18 %低く、P7より33 %低くなります。この製品ファミリーは、400 VにおいてCFD7およびP7より50 %低い出力容量C _OSSを示します。さらに、ターンオフ損失 (E _oss) はCFD7およびP7と比較して12 %低減され、逆回復電荷 (Q _rr) はCFD7と比較して3 %低下しています。さらにこれらのデバイスは、市場で最も短い逆回復時間 (t _rr) を示し、熱性能は前世代と比較して14～42 %向上しています。

これらのデバイスは、上述の機能によりLLCやZVS位相シフト フルブリッジなどのソフトスイッチング トポロジーにおいて高い効率と信頼性を提供します。また、PFC、TTF、その他のハードスイッチング トポロジーにおいても優れた性能レベルを示します。これらのデバイスは最適化されたオン抵抗によってより高い電力密度を実現し、シリコンベースのSJ MOSFET のオン抵抗を最小7 mΩという一桁の値まで低減しています。

インフィニオンは、ニュルンベルクで開催されるPCIM 2024のインフィニオン ブース (ホール7 / ブース470) において600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETを展示します。

供給状況について

600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETは現在サンプルを供給中です。詳細は、 www.infineon.com/coolmos-8をご覧ください。

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約58,600人の従業員を擁し、2023年会計度 (2022年10月～2023年9月) の売上高は約163億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX) 、米国では店頭取引市場のOTCQX  (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。ウェブサイト www.infineon.com/jp

Follow us: X - Facebook - LinkedIn