英飞凌650 V CoolSiC™ MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平

2020-2-17 | 市场新闻

【2020年2月25日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。
 
“随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监Steffen Metzger表示，“这凸显了我们在市场中的独特地位：英飞凌是市场上唯一一家能够提供涵盖硅、碳化硅和氮化镓等材料的全系列功率产品的制造商。而全新CoolSiC™系列是我们矢志成为工业SiC MOSFET开关领域头号供应商的有力支持。”
 
650 V CoolSiC™ MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 mΩ之间，既可采用典型的TO-247 3引脚封装，也支持开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。与过去发布的所有CoolSiC™ MOSFET产品相比，全新650V系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，确保了器件具有出色的可靠性、出类拔萃的开关损耗和导通损耗。此外，它们还具备最高的跨导水平（增益）、4V的阈值电压（Vth）和短路稳健性。总而言之，沟槽技术可以在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低的损耗，并在运行中实现最佳可靠性。
 
与市面上其它硅基以及碳化硅解决方案相比，650 V CoolSiC™ MOSFET能够带来更加吸引人的优势：更高开关频率下更优的开关效率以及出色的可靠性。得益于与温度相关的超低导通电阻（RDS(on)），这些器件具备出色的热性能。此外，它们还采用了坚固耐用的体二极管，有非常低的反向恢复电荷：比最佳的超结CoolMOS™ MOSFET低80%左右。其换向坚固性，更是轻松实现了98%的整体系统效率，如通过连续导通模式图腾柱功率因素校正（PFC）。
 
为了简化采用650 V CoolSiC™ MOSFET的应用设计，确保器件高效运行，英飞凌还提供了专用的单通道和双通道电气隔离EiceDRIVER™栅极驱动器IC。这个解决方案（整合了CoolSiC™开关和专用的栅极驱动器IC）有助于降低系统成本和总拥有成本，以及提高能效。CoolSiC™ MOSFET可与其它英飞凌EiceDRIVER™栅极驱动器系列IC无缝协作。
 
供货情况
650 V CoolSiC™ MOSFET系列共8个版本，采用两种插件TO-247封装，现已支持订购。三种专用栅极驱动器IC将于2020年3月起供货。了解更多信息，请访问www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes。

Information Number

INFIPC202002-027

Press Photos

  • 650 V CoolSiC™ MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 mΩ之间，既可采用典型的TO-247 3引脚封装，也支持开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。与过去发布的所有CoolSiC™ MOSFET产品相比，全新650V系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。
    650 V CoolSiC™ MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 mΩ之间，既可采用典型的TO-247 3引脚封装，也支持开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。与过去发布的所有CoolSiC™ MOSFET产品相比，全新650V系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。
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  • The CoolSiC MOSFET 650 V devices are rated from 27650 V CoolSiC™ MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 mΩ之间，全新650V系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。
    The CoolSiC MOSFET 650 V devices are rated from 27650 V CoolSiC™ MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 mΩ之间，全新650V系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。
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