CoolSiC™ MOSFET 650Vファミリーでさらに幅広いアプリケーションに最高水準の信頼性と性能を実現

2020年2月17日、ミュンヘン（ドイツ） 

インフィニオン テクノロジーズ（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）は、SiC（シリコンカーバイド）製品の包括的なラインアップを拡大し、650Vデバイスを加えます。新しく提供を開始するCoolSiC™ MOSFETは、広範囲のアプリケーションにおけるエネルギー効率、電力密度、堅牢性に対する需要の拡大に対応します。応用できるアプリケーションは、サーバー、通信機器、産業用 SMPS、 太陽光発電システム、エネルギー貯蔵、 バッテリフォーメーション、 UPS、 モータ駆動、 電気自動車充電などです。 

インフィニオンのパワーマネジメント＆マルチマーケット事業本部の高電圧変換担当シニアディレクター、シュテフェン メッツガー (Steffen Metzger) は、次のように述べています。「本製品の発売は、インフィニオンの600/650V領域のシリコン、SiC、GaN（ガリウムナイトライド）ベースのパワー半導体製品の幅広いラインアップを補完するものです。これにより、3つのパワーテクノロジーの全てに関して、これほど幅広い製品を提供する唯一のメーカーという、市場における当社独自の立ち位置が強化されます。さらに、この新規のCoolSiCファミリーは、当社が産業用SiC MOSFETスイッチのナンバー1サプライヤーであるという我々の主張の裏付けともなります」。 

CoolSiC MOSFET 650Vデバイスの定格抵抗は27 mΩから107 mΩです。定番のTO-247 3ピンパッケージと、スイッチング損失をさらに改善したTO-247 4ピンパッケージで提供されます。既存の全CoolSiC MOSFET製品と同様に、新しい650Vファミリーもインフィニオンの最先端のトレンチ半導体技術をベースにしています。SiCの強力な物理特性を最大限に生かし、優れた信頼性と、クラス最高水準のスイッチング損失と導通損失を確保しています。また、最高水準のトランスコンダクタンス（利得）と、4Vの閾値電圧（Vth）、短路の堅牢性も特徴です。このように、トレンチテクノロジーにより、何一つ妥協することなく、アプリケーションにおける損失の最小化と信頼性の最大化を実現しています。 

650V CoolSiC MOSFETには、既存の他のシリコンソリューションやSiCソリューションと比べ、高周波におけるスイッチング効率や優れた信頼性など、魅力的な利点があります。温度に対するオン抵抗（RDS(on)）変化量が極めて低いため、熱特性に優れています。堅牢で安定したボディダイオードにより、逆回復電荷量（Qrr）が極めて低く、最高性能のスーパージャンクションCoolMOS™ MOSFETと比べて約80%低減しています。整流の堅牢性により、連続導通モードのトーテムポール型力率改善（PFC）の使用などを通じて、全体的なシステム効率98%を容易に実現できます。 

CoolSiC MOSFET 650Vを使用したアプリケーション設計を容易にし、本デバイスの信頼性の高い運用を確保するため、インフィニオンは専用の1チャネルおよび2チャネルのガルバニック絶縁EiceDRIVER™ゲートドライバICを供給します。このCoolSiCスイッチと専用ゲートドライバICを組み合わせるソリューションにより、システムコストだけでなく総保有コストも低減でき、エネルギー効率の向上も可能です。CoolSiC MOSFETは、EiceDRIVERゲートドライバファミリーの他のICともシームレスに連携します。 

供給状況

CoolSiC MOSFET 650Vファミリーには、2種類のスルーホールTO-247パッケージによる8つのバージョンがあり、いずれもすでにご発注を受け付けています。3種類の専用ゲートドライバICは、2020年3月に発売予定です。詳細については www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretesをご覧ください。