650 V CoolSiC™ MOSFET-Familie bietet höchste Zuverlässigkeit und Leistung für noch mehr Anwendungen

München, 17. Februar 2020 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr umfassendes Siliziumkarbid-(SiC)-Produktportfolio um 650 V-Leistungshalbleiter. Mit den neu eingeführten CoolSiC™ MOSFETs reagiert Infineon auf die wachsende Nachfrage nach Energieeffizienz, Leistungsdichte und Robustheit für eine Vielzahl von Anwendungen. Von den neuen Bauteilen profitieren Server-, Telekommunikations- und Industrie- Schaltnetzteile, Solarenergie-Systeme, Energiespeicher und Anlagen für die Batterieformation, USV, Motorantriebe sowie Ladesysteme für Elektroautos.

"Mit der Markteinführung ergänzt Infineon sein breites Portfolio an Leistungshalbleitern auf Basis von Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid im Bereich 600 V / 650 V", sagte Steffen Metzger, Senior Director High Voltage Conversion in der Power Management & Multimarket Division von Infineon. "Dies verdeutlicht unsere einmalige Position im Markt als alleiniger Hersteller mit einem breiten Angebot in allen drei Power-Technologien. Darüber hinaus unterstreicht die neue CoolSiC-Familie unseren Anspruch, die Nummer 1 unter den Anbietern von SiC-MOSFET-Schaltern für industrielle Zwecke zu sein."

Die CoolSiC MOSFET 650 V-Bausteine haben einen Einschaltwiderstand von 27 mΩ bis 107 mΩ. Sie sind sowohl im klassischen TO-247 3-Pin- erhältlich als auch im TO-247 4-Pin-Gehäuse, das noch geringere Schaltverluste ermöglicht. Wie alle zuvor eingeführten CoolSiC-MOSFET-Produkte basiert auch die neue 650 V-Familie auf der Trench-Technologie von Infineon. Dadurch werden die physikalischen Eigenschaften von SiC am besten zur Geltung gebracht. Sie stellt sicher, dass die Bauteile eine überragende Zuverlässigkeit sowie die besten Schalt- und Leitungsverluste ihrer Klasse bieten. Darüber hinaus zeichnen sie sich durch den höchsten Verstärkungsfaktor und eine Schwellenspannung (V _th) von 4 V aus sowie eine hohe Kurzschlussrobustheit. Die Trench-Technologie ermöglicht somit geringste Verluste in der Anwendung und höchste Zuverlässigkeit im Betrieb – ohne jeden Kompromiss.

650 V CoolSiC MOSFETs von Infineon bieten attraktive Vorteile im Vergleich zu anderen Silizium- und Siliziumkarbid-Lösungen auf dem Markt, wie z.B. die Schalteffizienz bei höheren Frequenzen und eine hervorragende Zuverlässigkeit. Sie weisen ein hervorragendes thermisches Verhalten und eine sehr geringe Abhängigkeit des Einschaltwiderstandes (R _DS(on)) von der Temperatur auf. Die Bauelemente zeichnen sich durch robuste und stabile Body-Dioden aus, die ein sehr niedriges Niveau der Reverse-Recovery-Ladung (Q _rr) haben. Sie liegt etwa 80 Prozent niedriger als bei den besten Superjunction CoolMOS™ MOSFETs. Die Robustheit bei der Kommutierung trägt dazu bei, leicht einen Wirkungsgrad des Gesamtsystems von 98 Prozent zu erreichen: etwa durch Einsatz der Continuous-Coduction-Mode (CCM) Totem Pole Blindleistungskompensation (PFC).

Um das Design mit den CoolSiC MOSFETs 650 V in Anwendungen zu vereinfachen und einen hocheffizienten Betrieb der Bauteile zu ermöglichen, bietet Infineon galvanisch isolierte 1- und 2-kanalige EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs an. Diese Lösung – eine Kombination aus CoolSiC-Schaltern und dedizierten Gate-Treiber-ICs – hilft dabei, sowohl die Systemkosten als auch die Gesamtbetriebskosten zu senken und ermöglicht eine Steigerung der Energieeffizienz. Die CoolSiC-MOSFETs arbeiten darüber hinaus unkompliziert mit anderen ICs aus der EiceDRIVER-Gate-Treiber-Familie von Infineon zusammen.

Verfügbarkeit

Die CoolSiC MOSFET 650 V-Familie umfasst acht Varianten, die in zwei TO-247-Gehäusen für die Durchsteckmontage erhältlich sind. Sie können ab sofort bestellt werden. Drei dedizierte Gate-Treiber-ICs werden ab März 2020 verfügbar sein. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes.