英飞凌OptiMOS™源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置

2020-10-29 | 市场新闻

【2020年11月3日，德国慕尼黑讯】当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通过专注于强化元器件产品达到系统创新，来应对这一挑战。继2 月份推出 25 V 装置后，英飞凌又推出了 OptiMOS™ 40 V 低电压功率 MOSFET，采用源极底置 (SD, Source-Down) PQFN 封装，尺寸为 3.3mm x 3.3 mm。这款 40 V SD MOSFET 适用于服务器的 SMPS、电信和 OR-ing，还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。

SD 封装的内部采用上下倒置的芯片。如此一来，让源极电位 (而非汲极电位) 能通过导热片连接至 PCB。与现有技术相比，此版本最终可使 RDS(on)大大降低 25%。相较于传统的 PQFN 封装，接面与外壳间的热阻 (RthJC)亦获得大幅改善。SD OptiMOS 可承受高达 194 A 的高连续电流。此外，经过优化的配置可能性和更有效的 PCB 利用，可实现更高的设计灵活性和出色的性能。

供货情况
OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。两个版本皆采用 PQFN 3.3mm x 3.3 mm封装，已开始接受订购。欲获得更多资讯请浏览 www.infineon.com/source-down。

Information Number

INFPSS202010-007

Press Photos

  • OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。采用源极底置 (SD) PQFN 封装的装置尺寸为 3.3mm x 3.3 mm，可使 RDS(on)大大降低 25%，接面与外壳间的热阻 RDS(on)亦获得大幅改善。
    OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。采用源极底置 (SD) PQFN 封装的装置尺寸为 3.3mm x 3.3 mm，可使 RDS(on)大大降低 25%，接面与外壳间的热阻 RDS(on)亦获得大幅改善。
    PQFN_3_3x3_3_SDCG

    JPG | 457 kb | 2126 x 1110 px