インフィニオン、ソースダウン構造のOptiMOS™パワーMOSFETファミリーの新製品PQFN 40Vデバイスを発売

2020/10/29 | マーケットニュース

2020年10月29日、ミュンヘン（ドイツ）

最新の電力システム設計には、システムレベルのパフォーマンスを最大限のものとするために、高い電力密度レベルと小型フォームファクタが必要です。インフィニオン テクノロジーズ（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）は、コンポーネントレベルでの機能強化を伴うシステムイノベーションに注力し、この課題に取り組んでいます。インフィニオンは、2月に発売した25 Vデバイスに続き、 OptiMOS™ 40V低電圧パワーMOSFETを発売します。フットプリント3.3 x 3.3 mm 2のソースダウン（SD）構造のPQFNパッケージを実現した40 V SD MOSFETは、主に サーバ、 テレコムの スイッチング電源、OR-ingおよび バッテリ保護、 パワーツール、充電アプリケーションに対応しています。

SDパッケージでは、シリコンが上下逆になっており、ドレイン電位に代わりソース電位がサーマルパッドを介してPCBに接続されています。結果として、RDS（on）を現在のテクノロジーと比較して最大25%と大幅に削減することが可能となります。接合部とケースの間の熱抵抗（RthJC）も、従来のPQFNパッケージと比較し大幅に改善されています。SD OptiMOSは、最大194 Aの連続高電流に耐えることができます。さらに、最適化可能なレイアウトとPCBを効率的に利用することによって、設計の柔軟性を高めた本製品は、最高のパフォーマンスを生み出すことができます。

供給状況

OptiMOS SD 40 V低電圧パワーMOSFETには、スタンダードとセンターゲートの2つのバージョンを利用できます。センターゲートバージョンは、複数のデバイスの並列操作に適しています。PQFN 3.3 x 3.3mm 2パッケージの2つのバージョンとも、今すぐご注文いただけます。詳細については、 www.infineon.com/source-downをご覧ください。

Information Number

INFPSS202010-007j

Press Photos

  • The OptiMOS™ SD 40 V low-voltage power MOSFET is available in two versions, standard and Center-Gate. The Center-Gate variant is optimized for parallel operation of multiple devices. The Source-Down (SD) PQFN package with a 3.3 x 3.3 mm² footprint reduces RDS(on) by up to 25 percent and significantly improves thermal resistance between junction to case.
    The OptiMOS™ SD 40 V low-voltage power MOSFET is available in two versions, standard and Center-Gate. The Center-Gate variant is optimized for parallel operation of multiple devices. The Source-Down (SD) PQFN package with a 3.3 x 3.3 mm² footprint reduces RDS(on) by up to 25 percent and significantly improves thermal resistance between junction to case.
    PQFN_3_3x3_3_SDCG

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