OptiMOS™ Linear FET 2 MOSFET ermöglicht optimalen Hot-Swap- und Batterieschutz

München, 13. November 2024 – Der sichere Hot-Swap-Betrieb in KI-Servern und Telekommunikationsanwendungen erfordert MOSFETs mit einem robusten linearen Betriebsmodus sowie einem niedrigen R _DS(on). Die Infineon Technologies AG adressiert diese Herausforderung mit dem neuen OptiMOS™ 5 Linear FET 2, einem MOSFET, der den idealen Kompromiss zwischen dem R _DS(on) eines Trench-MOSFET und dem breiten sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area / SOA) eines klassischen Planar-MOSFET bietet. Der Baustein verhindert Schäden an der Last, indem er den hohen Einschaltstrom begrenzt. Durch seinen niedrigen R _DS(on) sorgt er für minimale Verluste im Betrieb. Im Vergleich zur Vorgängergeneration (dem OptiMOS Linear FET) bietet der OptiMOS Linear FET 2 einen verbesserten SOA bei höheren Temperaturen, einen geringeren Gate-Leckstrom und eine größere Gehäuseauswahl. Dadurch können mehr MOSFETs pro Controller parallelgeschaltet werden, was die Stücklistenkosten senkt und dank des erweiterten Produktportfolios mehr Flexibilität beim Design bietet

Der 100 V OptiMOS 5 Linear FET 2 ist in einem TO-Leadless-Gehäuse (TOLL) erhältlich und bietet einen 12-mal höheren SOA bei 54 V bei 10 ms und einen 3,5-mal höheren SOA bei 100 µs im Vergleich zu einem Standard OptiMOS 5 mit ähnlichem R _DS(on). Die letztgenannte Verbesserung ist besonders wichtig für den Batterieschutz, welcher im Falle eines Kurzschlusses innerhalb des Batteriemanagementsystems (BMS) durchgeführt wird. Bei derartigen Ereignissen ist die Stromverteilung zwischen parallelen MOSFETs entscheidend für das Systemdesign und die Zuverlässigkeit. Der OptiMOS 5 Linear FET 2 verfügt über eine optimierte Übertragungskennlinie, die eine verbesserte Stromaufteilung ermöglicht. Unter Berücksichtigung des breiten SOA und der verbesserten Stromaufteilung kann die Anzahl der Bauteile um bis zu 60 Prozent in Designs reduziert werden, bei denen die Anzahl der Bauteile durch die Kurzschlussstromanforderung bestimmt wird. Dies ermöglicht eine hohe Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit für den Batterieschutz, der in einer Vielzahl von Anwendungen wie Elektrowerkzeugen, E-Bikes, E-Scootern, Gabelstaplern, Batterie-Backup-Units und batteriebetriebenen Fahrzeugen eingesetzt wird.

Verfügbarkeit

Der neue OptiMOS 5 Linear FET 2 MOSFET ist jetzt erhältlich. Weitere Informationen sind verfügbar unter www.infineon.com/optimos-linearfet und www.infineon.com/ipt023n10nm5lf2.

Infineon auf der electronica 2024

Auf der diesjährigen electronica in München präsentiert Infineon innovative Lösungen, die zur Gestaltung einer All-Electric-Society beitragen. Besucherinnen und Besucher können sich über nachhaltige Technologien informieren, die die Mobilitäts- und Automobillandschaft verändern, nachhaltige Gebäude und intelligenteres Wohnen ermöglichen und das Potenzial von künstlicher Intelligenz mit minimalen Umweltauswirkungen vorantreiben. Das Unternehmen präsentiert vom 12. bis 15. November in Halle C3, Stand 502 intelligente und energieeffiziente Lösungen für die vernetzte Welt von morgen, unter dem Motto „Driving Decarbonization and Digitalization. Together.“ Mehr Informationen sind verfügbar unter www.infineon.com/electronica.

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power-Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.600 Beschäftigte und erzielte im Geschäftsjahr 2023 (Ende September) einen Umsatz von rund 16,3 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert. Infineon wurde vom Rat für Formgebung mit dem German Brand Award als „Corporate Brand of the Year 2024“ ausgezeichnet.

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